ID100
低漏
PICO - AMP双二极管
线性系统替换停产Intersil的ID100
该ID100是低漏电单片双微微安培二极管
该ID100低漏电单片双二极管提供了一个
高级替代传统的二极管技术
当反向电流（漏）必须被最小化。在
除了单片双结构允许
每二极管，电容匹配极佳。该ID100
设有0.1 pA的泄漏电流，并适用
对于在应用中，如用于输入保护用
运算放大器。
特点是什么？
DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL ID100
反向漏电流
反向击穿电压
REVERSE电容
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1)
@ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
正向电流
反向电流
最大电压不
反向电压
二极管，二极管电压
I
R
= 0.1pA
BV
R
≥ 30V
C
RSS
= 0.75pF
ID100优点：
可以忽略不计电路漏电贡献
电路“透明”除了分流
高频尖峰
操作简单
‐65°C to +200°C
‐55°C to +150°C
300mW
20mA
100µA
30V
±50V
ID100应用：
运算放大器的输入保护
多路复用过压保护
ID100 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特色」
分钟。
（典型值） *
BV
R
V
F
I
R
|I
R1
‐I
R2
|
C
RSS
注1 - 绝对最大额定值的限制值，超过该ID100适用性可能受到损害。
注2 - 设计参考之用，并不100％测试
TO- 78 （底视图）
可用的软件包：
马克斯。
单位“
条件“
FIGURE 1 – Operational Amplifier Protection
Input Differential Voltage limited to 0.8V (typ) by Diodes ID100
D
1
和D
2
. Common Mode Input voltage limited by Diodes ID100
D
3
和D
4
to ±15V.
FIGURE 2 – Sample & Hold Circuit
Typical Sample and Hold circuit with clipping. ID100 diodes
reduce offset voltages fed capacitively from the ID100 switch
门。
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ID100的TO- 78
ID100作为裸模
请联系Micross为
全包和模具尺寸
Note pins 3 & 5 must not be connected, in
任何方式或方式，以任何线路或节点
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