IT122
单片双
NPN晶体管
线性系统替换停产Intersil公司IT122
该IT122是单片对NPN晶体管的
安装在一个单一的TO- 78封装。单片
双芯片的设计减少了寄生效应,并给出更好
性能的同时保证非常严格匹配。
该IT122是直接替换停产
Intersil的IT122 。
所述密封TO -78非常适合于高可靠性
和恶劣环境下的应用。
(见包装信息) 。
IT122产品特点:
高ħ
fe
在低电流
严格匹配
紧V
BE
跟踪
低输出电容
特点是什么?
Direct Replacement for INTERSIL IT122
HIGH“
h
FE
@低电流
输出电容
V
BE
跟踪
绝对最大额定值
1
@ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散(单面)
连续功率耗散(双方)
线性降额因子(单面)
线性降额因子(双方)
最大电流
集电极电流
MIN †
‐‐
TYP †
‐‐
MAX`
5
单位“
mV
≥ 80 @ 10µA
≤ 2.0pF
≤ 20µV°C
‐65°C to +200°C
‐55°C to +150°C
250mW
500mW
2.3mW/°C
4.3mW/°C
10mA
条件“
I
C
= 10µA, V
CE
= 5V
CE
= 5V
CE
= 5V
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise stated)
SYMBOL
特点】
|V
BE1
– V
BE2
|
基极发射极电压差分
∆|(V
BE1
– V
BE2
|I
B1
– I
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
BV
CBO
BV
首席执行官
集电极到发射极电压
45
BV
EBO
发射极 - 基极击穿电压
6.2
BV
CCO
集电极集电极电压
60
h
FE
直流电流增益
80
100
V
CE
( SAT )
集电极饱和电压
‐‐
I
EBO
发射极截止电流
‐‐
I
CBO
集电极截止电流
‐‐
C
敖包
输出电容
‐‐
C
C1C2
集电极集电极电容
‐‐
I
C1C2
集电极集电极漏电流
‐‐
f
T
电流增益带宽积
180
NF
窄带噪声图
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
0.5
1
1
2
2
10
‐‐
3
V
V
V
V
nA
nA
pF
pF
nA
兆赫
dB
TO- 78 (底视图)
I
C
= 10µA, I
B
= 0
I
E
= 10µA, I
C
= 0
2
I
C
= 10µA, I
E
= 0
I
C
= 10µA, V
CE
= 5V
I
C
= 1.0mA, V
CE
= 5V
I
C
= 0.5mA, I
B
= 0.05mA
I
C
= 0, V
EB
= 3V
I
E
= 0, V
CB
= 45V
I
E
= 0, V
CB
= 5V
V
CC
= 0V
V
CC
= ±60V
I
C
= 1mA, V
CE
= 5V
I
C
= 100µA, V
CE
= 5V, BW=200Hz, R
G
= 10KΩ,
f = 1KHz
注意事项:
1. Absolute Maximum ratings are limiting values above which serviceability may be impaired
2. The reverse base‐to‐emitter voltage must never exceed 6.2 volts; the reverse base‐to‐emitter current must never exceed 10µA.
可用的软件包:
IT122在TO- 78
IT122作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸:
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
www.micross.com/distribution.aspx
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