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IT131_SOIC 参数 Datasheet PDF下载

IT131_SOIC图片预览
型号: IT131_SOIC
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内容描述: 单片双NPN晶体管 [MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 269 K
品牌: MICROSS [ MICROSS COMPONENTS ]
   
IT131
单片双
PNP晶体管
线性系统替换停产Intersil公司IT131
该IT131是单片对PNP晶体管
安装在一个单一的SOIC封装。单片双
芯片的设计减少了寄生效应,并给出更好
性能的同时保证非常严格匹配。
该IT131是直接替换停产
Intersil的IT131 。
8引脚SOIC封装提供了便于制造,并
对称引出线防止不正当的方向。
(见包装信息) 。
IT131产品特点:
高ħ
fe
在低电流
严格匹配
紧V
BE
跟踪
低输出电容
特点是什么?
Direct Replacement for INTERSIL IT131 
HIGH“
h
FE
@低电流
输出电容
V
BE
跟踪
绝对最大额定值
1
 
@ 25°C (unless otherwise noted) 
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散(单面)
连续功率耗散(双方)
线性降额因子(单面)
线性降额因子(双方)
最大电流
集电极电流
 
MIN †
‐‐ 
TYP †
‐‐ 
MAX`
单位“
mV 
≥ 80 @ 10µA 
≤ 2.0pF 
≤ 10µV°C 
‐65°C to +200°C 
‐55°C to +150°C 
250mW 
500mW 
2.3mW/°C 
4.3mW/°C 
10mA 
 
条件“
I
= 10µA, V
CE 
= 5V 
CE 
= 5V 
CE 
= 5V 
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise stated) 
SYMBOL
特点】
|V
BE1 
– V
BE2 
基极发射极电压差分
∆|(V
BE1 
– V
BE2
|I
B1 
– I
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
BV
CBO
 
BV
首席执行官
 
集电极到发射极电压
45 
BV
EBO
 
发射极 - 基极击穿电压
6.2 
BV
CCO
 
集电极集电极电压
60 
h
FE
 
直流电流增益
80 
100 
V
CE
( SAT )
集电极饱和电压
‐‐ 
I
EBO
 
发射极截止电流
‐‐ 
I
CBO
 
集电极截止电流
‐‐ 
C
敖包
 
输出电容
‐‐ 
C
C1C2
 
集电极集电极电容
‐‐ 
I
C1C2
 
集电极集电极漏电流
‐‐ 
f
T
 
电流增益带宽积
110 
NF 
窄带噪声图
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
0.5 
10 
‐‐ 
 
 
nA 
nA 
pF 
pF 
nA 
兆赫
dB 
SOIC (顶视图)
I
= 10µA, I
= 0 
I
= 10µA, I
= 0
2
 
I
= 10µA, I
= 0 
I
= 10µA, V
CE 
= 5V 
I
= 1.0mA, V
CE 
= 5V 
I
= 0.5mA, I
= 0.05mA 
I
= 0, V
EB 
= 3V 
I
= 0, V
CB 
= 45V 
I
= 0, V
CB 
= 5V 
V
CC 
= 0V 
V
CC 
= ±60V 
I
= 1mA, V
CE 
= 5V 
I
= 100µA,  V
CE 
= 5V, BW=200Hz, R
G
= 10KΩ, 
f = 1KHz 
注意事项:
1. Absolute Maximum ratings are limiting values above which serviceability may be impaired
2. The reverse base‐to‐emitter voltage must never exceed 6.2 volts; the reverse base‐to‐emitter current must never exceed 10µA. 
 
可用的软件包:
IT131采用SOIC
IT131作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸:
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
www.micross.com/distribution.aspx
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