J111
N沟道JFET
线性系统的替代停产的Siliconix J111
这n沟道JFET的低噪音高优化
高性能交换。的部分是特别合适的
在低噪声音频放大器使用。在TO- 92
包是非常适合于成本敏感的应用
和大批量生产。
(见包装信息) 。
特点是什么?
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J111
低栅极漏电流
5pA
快速开关
t
(上)
≤ 4ns
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
‐55°C to +150°C
J111优点:
工作结温
‐55°C to +135°C
短采样&保持孔径时间
最大功率耗散
低插入损耗
连续功率耗散
360mW
低噪音
最大电流
J111应用范围:
Gate Current (Note 1)
50mA
模拟开关
最大电压不
换向器
栅漏电压
V
GDS
= ‐35V
菜刀
门源电压
V
GSS
= ‐35V
J111 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
(典型值) *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
门源击穿电压
‐35
‐‐
‐‐
I
G
= 1µA, V
DS
= 0V
V
GS ( OFF )
门源截止电压
‐3
‐‐
‐10
V
DS
= 5V, I
D
= 1µA
V
V
GS ( F)
门源正向电压
‐‐
0.7
‐‐
I
G
= 1mA, V
DS
= 0V
I
DSS
Drain to Source Saturation Current (Note 2)
20
‐‐
‐‐
mA
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
I
GSS
门反向电流
‐‐
‐0.005
‐1
nA
V
GS
= ‐15V, V
DS
= 0V
I
G
I
D(关闭)
r
DS ( ON)
J111 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
g
fs
g
os
输出电导
‐‐
25
‐‐
µS
r
DS ( ON)
漏极至源极导通电阻
‐‐
‐‐
30
Ω
V
GS
= 0V, I
D
= 0mA, f = 1kHz
C
国际空间站
输入电容
‐‐
7
12
pF
V
DS
= 0V, V
GS
= ‐10V, f = 1MHz
C
RSS
反向传输电容
‐‐
3
5
e
n
等效噪声电压
‐‐
3
‐‐
内华达州/ √Hz的
V
DG
= 10V, I
D
= 1mA , f = 1kHz
J111 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
单位“
条件“
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
2
2
6
15
ns
V
DD
= 10V
V
GS
(H) = 0V
见开关电路
可用的软件包:
J111采用TO- 92
J111裸片。
请联系Micross全
包装及模具尺寸
TO- 92 (底视图)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
注1 - 绝对最大额定值的限制值,超过该J111适用性可能受到损害。
Note 2 –
脉冲测试: PW≤ 300微秒,占空比≤ 3 %
J111 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS
‐12V
R
L
800Ω
I
D(上)
12mA
Micross组件欧洲
V
GS ( L)
切换测试电路
电话:+44 1603 788967
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
http://www.micross.com/distribution
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