J210
N沟道JFET
线性系统的替代停产的Siliconix J210
在J210是一个n沟道JFET的通用
放大器，具有低噪音，低泄漏。
采用SOT -23封装，非常适合对成本敏感的
应用程序和大量生产。
（见包装信息） 。
特点是什么？
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J210
高增益
g
fs
= 7000µmho MIN
高输入阻抗
I
GSS
= 100pA max
低输入电容
C
ISS =
= 5pF
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
‐55°C to +150°C
高增益
工作结温
‐55°C to +135°C
低漏
最大功率耗散
低噪音
连续功率耗散
360mW
J210应用范围：
降额过温
3.27 mW/°C
一般通用放大器
最大电流
UHV / VHF放大器
Gate Current (Note 1)
10mA
调音台
最大电压不
振荡器
栅漏电压或门源电压
‐25V
J210 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
（典型值） *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
门源击穿电压
‐25
‐‐
‐‐
V
V
DS
= 0V, I
G
= ‐1µA
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
‐1
‐‐
‐3
V
DS
= 15V, I
D
= 1nA
I
DSS
Drain to Source Saturation Current (Note 2)
2
‐‐
15
mA
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
I
GSS
Gate Reverse Current (Note 3)
‐‐
‐‐
‐100
pA
V
DS
= 0V, V
GS
= ‐15V
I
G
r
DS （ ON）
J210 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
g
fs
g
os
C
国际空间站
输入电容
‐‐
4
‐‐
pF
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V , f = 1MHz
C
RSS
反向传输电容
‐‐
1
‐‐
e
n
等效噪声电压
‐‐
10
‐‐
内华达州/ √Hz的
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V , f = 1kHz
J210 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
单位“
条件“
J210优点：
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
2
2
6
15
ns
V
DD
= 10V
V
GS
(H) = 0V
见开关电路
可用的软件包：
J210采用SOT -23
J210裸片。
请联系Micross全
包装及模具尺寸
SOT- 23 （顶视图）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Note 1 ‐ Absolute maximum ratings are limiting values above which J210 serviceability may be impaired.
Note 2 ‐ Pulse test duration = 2ms
Note 3 – Approximately doubles for every 10
℃，增加T中
A
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