LS124
单片双
NPN晶体管
线性系统替换停产Intersil公司IT124
该LS124是一款单芯片双超Beta版的NPN
晶体管安装在单P - DIP封装。该
单片双芯片的设计减少了寄生效应和
提供更好的性能,同时确保极度紧张
匹配。该LS124是直接替换
停产Intersil公司IT124 。
8引脚P- DIP提供便于制造,并
对称引出线防止不正当的方向。
(见包装信息) 。
LS124特点:
非常高的增益
严格匹配
低输出电容
特点是什么?
Direct Replacement for INTERSIL LS124
高增益
低输出电容
V
BE
跟踪
绝对最大额定值
1
@ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散(单面)
连续功率耗散(双方)
线性降额因子(单面)
线性降额因子(双方)
最大电流
集电极电流
MIN †
‐‐
TYP †
2
MAX`
5
单位“
mV
h
FE
≥ 1500 @ 1 AND 10µA
≤ 2.0pF
≤ 5.0µV°C
‐65°C to +200°C
‐55°C to +150°C
250mW
500mW
2.3mW/°C
4.3mW/°C
10mA
条件“
I
C
= 10µA, V
CE
= 1V
CE
= 1V
CE
= 1V
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise stated)
SYMBOL
特点】
|V
BE1
– V
BE2
|
基极发射极电压差分
∆|(V
BE1
– V
BE2
|I
B1
– I
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
BV
CBO
BV
首席执行官
集电极到发射极电压
2
BV
EBO
发射极 - 基极击穿电压
6.2
BV
CCO
集电极集电极电压
100
h
FE
直流电流增益
1500
1500
V
CE
( SAT )
集电极饱和电压
‐‐
I
EBO
发射极截止电流
‐‐
I
CBO
集电极截止电流
‐‐
C
敖包
输出电容
‐‐
C
C1C2
集电极集电极电容
‐‐
I
C1C2
集电极集电极漏电流
‐‐
f
T
电流增益带宽积
100
NF
窄带噪声图
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
0.5
100
100
2
2
10
‐‐
3
V
V
V
V
pA
pA
pF
pF
nA
兆赫
dB
P- DIP (顶视图)
I
C
= 10µA, I
B
= 0
I
E
= 10µA, I
C
= 0
2
I
C
= 10µA, I
E
= 0
I
C
= 1µA, V
CE
= 1V
I
C
= 10µA, V
CE
= 1V
I
C
= 1mA, I
B
= 0.1mA
I
C
= 0, V
EB
= 3V
I
E
= 0, V
CB
= 1V
I
E
= 0, V
CB
= 1V
V
CC
= 0V
V
CC
= ±50V
I
C
= 100µA, V
CE
= 1V
I
C
= 10µA, V
CE
= 3V, BW=200Hz, R
G
= 10KΩ,
f = 1KHz
注意事项:
1. Absolute Maximum ratings are limiting values above which serviceability may be impaired
2. The reverse base‐to‐emitter voltage must never exceed 6.2 volts; the reverse base‐to‐emitter current must never exceed 10µA.
可用的软件包:
LS124在P- DIP
LS124可作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸:
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
www.micross.com/distribution.aspx
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