LS301
单片双
NPN晶体管
线性系统的高电压超级测试版单片双NPN
该LS301是一款单芯片双高电压超
安装在单P -DIP测试NPN晶体管
封装。单片双芯片的设计减少了
寄生并提供更好的性能,同时保证
极其严格匹配。
8引脚P- DIP提供便于制造,并
对称引出线防止不正当的方向。
(见包装信息) 。
LS301特点:
非常高的增益
严格匹配
低输出电容
特点是什么?
高增益
低输出电容
紧V
BE
匹配
高F
t
绝对最大额定值
1
@ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散(单面)
连续功率耗散(双方)
线性降额因子(单面)
线性降额因子(双方)
最大电流
集电极电流
MIN †
‐‐
TYP †
0.2
MAX`
1
单位“
mV
h
FE
≥ 2000 @ 1µA TYP.
C
敖包
≤ 2.0pF
|V
BE1
– V
BE2
|= 0.2mV TYP.
100MHz
‐65°C to +200°C
‐55°C to +150°C
250mW
500mW
2.3mW/°C
4.3mW/°C
5mA
条件“
I
C
= 10µA, V
CE
= 5V
CE
= 5V
CE
= 5V
CE
= 5V
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise stated)
SYMBOL
特点】
|V
BE1
– V
BE2
|
基极发射极电压差分
∆|(V
BE1
– V
BE2
|I
B1
– I
h
FE1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
BV
CBO
集电极 - 基极电压
18
BV
首席执行官
集电极到发射极电压
18
BV
EBO
发射极 - 基极击穿电压
6.2
BV
CCO
集电极集电极电压
100
‐‐
直流电流增益
h
FE
2000
‐‐
V
CE
( SAT )
集电极饱和电压
‐‐
I
EBO
发射极截止电流
‐‐
I
CBO
集电极截止电流
‐‐
C
敖包
输出电容
‐‐
C
C1C2
集电极集电极电容
‐‐
I
C1C2
集电极集电极漏电流
‐‐
f
T
电流增益带宽积
100
NF
窄带噪声图
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
2000
‐‐
2000
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
0.5
0.2
100
2
2
0.5
‐‐
3
V
V
V
V
V
pA
pA
pF
pF
nA
兆赫
dB
I
C
= 10µA, I
E
= 0
I
C
= 10µA, I
B
= 0
I
E
= 10µA, I
C
= 0
2
I
C
= 10µA, I
E
= 0
I
C
= 1µA, V
CE
= 5V
I
C
= 10µA, V
CE
= 5V
I
C
= 500µA, V
CE
= 5V
I
C
= 1mA, I
B
= 0.1mA
I
C
= 0, V
EB
= 3V
I
E
= 0, V
CB
= 10V
I
E
= 0, V
EB
= 1V
V
CC
= 0V
V
CC
= ±80V
I
C
= 200µA, V
CE
= 5V
I
C
= 10µA, V
CE
= 3V, BW=200Hz, R
G
= 10KΩ,
f = 1KHz
注意事项:
1. Absolute Maximum ratings are limiting values above which serviceability may be impaired
2. The reverse base‐to‐emitter voltage must never exceed 6.2 volts; the reverse base‐to‐emitter current must never exceed 10µA.
P- DIP (顶视图)
可用的软件包:
LS301在P- DIP
LS301可作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸:
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
www.micross.com/distribution.aspx
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