LS312
单片双
NPN晶体管
线性系统的高电压超级测试版单片双NPN
该LS312是单片对NPN晶体管的
安装在一个单一的SOT-23封装。单片
双芯片的设计减少了寄生效应,并给出更好
性能的同时保证非常严格匹配。
6引脚SOT -23提供了易于制造,并且
以较低的成本组件的选择。
.
(见包装信息) 。
LS312特点:
非常高的增益
严格匹配
低输出电容
特点是什么?
高增益
紧V
BE
匹配
高F
t
绝对最大额定值
1
@ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散(单面)
连续功率耗散(双方)
线性降额因子(单面)
线性降额因子(双方)
最大电流
集电极电流
MIN †
‐‐
‐‐
TYP †
0.2
0.5
MAX`
0.5
2
单位“
mV
μV/°C
h
FE
≥ 200 @ 10µA‐1mA
|V
BE1
– V
BE2
|= 0.2mV TYP.
250MHz TYP. @ 1mA
‐65°C to +200°C
‐55°C to +150°C
250mW
500mW
2.3mW/°C
4.3mW/°C
10mA
条件“
I
C
= 10µA, V
CE
= 5V
I
C
= 10µA, V
CE
= 5V
CE
= 5V
CE
= 5V
CE
= 5V
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise stated)
SYMBOL
特点】
|V
BE1
– V
BE2
|
基极发射极电压差分
∆|(V
BE1
– V
BE2
)| / ∆T
基极发射极电压差分
|I
B1
– I
|∆ (I
B1
– I
h
FE1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
CBO
集电极 - 基极电压
60
BV
首席执行官
集电极到发射极电压
60
BV
EBO
发射极 - 基极击穿电压
6.2
BV
CCO
集电极集电极电压
100
200
直流电流增益
h
FE
200
200
V
CE
( SAT )
集电极饱和电压
‐‐
I
EBO
发射极截止电流
‐‐
I
CBO
集电极截止电流
‐‐
C
敖包
输出电容
‐‐
C
C1C2
集电极集电极电容
‐‐
I
C1C2
集电极集电极漏电流
‐‐
f
T
电流增益带宽积
200
NF
窄带噪声图
‐‐
(典型值) *
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
马克斯。
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
0.25
0.2
0.2
2
2
0.5
‐‐
3
单位“
V
V
V
V
V
nA
nA
pF
pF
nA
兆赫
dB
条件“
I
C
= 10µA, I
E
= 0
I
C
= 10µA, I
B
= 0
I
E
= 10µA, I
C
= 0
2
I
C
= 10µA, I
E
= 0
I
C
= 10µA, V
CE
= 5V
I
C
= 100µA, V
CE
= 5V
I
C
= 1mA, V
CE
= 5V
I
C
= 1mA, I
B
= 0.1mA
I
E
= 0, V
CB
= 3V
I
E
= 0, V
CB
= 30V
I
E
= 0, V
CB
= 5V
V
CC
= 0V
V
CC
= ±45V
I
C
= 1mA, V
CE
= 5V
I
C
= 100µA, V
CE
= 5V, BW=200Hz, R
G
= 10KΩ,
f = 1KHz
注意事项:
1. Absolute Maximum ratings are limiting values above which serviceability may be impaired
2. The reverse base‐to‐emitter voltage must never exceed 6.2 volts; the reverse base‐to‐emitter current must never exceed 10µA.
SOT- 23 (顶视图)
可用的软件包:
LS312采用SOT -23
LS312可作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸:
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
www.micross.com/distribution.aspx
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