LS3550B
单片双
PNP晶体管
线性系统的单片双PNP晶体管
该LS3550B是单片对PNP晶体管
安装在一个单一的SOIC封装。单片双
芯片的设计减少了寄生效应,并给出更好
性能的同时保证非常严格匹配。
8引脚SOIC封装提供了便于制造,并
对称引出线防止不正当的方向。
(见包装信息) 。
LS3550B特点:
严格匹配
低输出电容
特点是什么?
优良的热追踪
紧V
BE
匹配
绝对最大额定值
1
@ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
集电极电流
最大电压不
集电极集电极电压
MIN †
‐‐
‐‐
‐‐
TYP †
‐‐
‐‐
‐‐
MAX`
5
5
10
单位“
mV
μV/°C
nA
≤5µV/°C
|V
BE1
– V
BE2
|≤5mV
‐65°C to +150°C
‐55°C to +150°C
TBD ‡
10mA
80V
条件“
I
C
= ‐10mA, V
CE
= ‐5V
I
C
= ‐10mA, V
CE
= ‐5V
T
A
= ‐40°C to +85°C
I
C
= ‐10µA, V
CE
= ‐5V
CE
= ‐5V
CE
= 5V
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise stated)
SYMBOL
特点】
|V
BE1
– V
BE2
|
基极发射极电压差分
∆|(V
BE1
– V
BE2
)| / ∆T
基极发射极电压差分
随温度的变化
|I
B1
– I
B2
|
基极电流差动
|∆ (I
B1
– I
h
FE1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
BV
CBO
BV
首席执行官
集电极到发射极电压
‐40
BV
EBO
发射极 - 基极击穿电压
‐6.2
BV
CCO
集电极集电极电压
‐80
100
直流电流增益
h
FE
80
80
V
CE
( SAT )
集电极饱和电压
‐‐
I
EBO
发射极截止电流
‐‐
I
CBO
集电极截止电流
‐‐
C
敖包
输出电容
‐‐
C
C1C2
集电极集电极电容
‐‐
I
C1C2
集电极集电极漏电流
‐‐
f
T
电流增益带宽
‐‐
产品(当前)
NF
窄带噪声图
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐0.25
‐0.2
‐0.2
2
2
‐1
600
3
V
V
V
V
nA
nA
pF
pF
nA
兆赫
dB
I
C
= 10µA, I
B
= 0
I
E
= 10µA, I
C
= 0
2
I
C
= 10µA, I
E
= 0
I
C
= ‐1mA, V
CE
= ‐5V
I
C
= ‐10mA, V
CE
= ‐5V
I
C
= ‐100mA, V
CE
= ‐5V
I
C
= ‐100mA, I
B
= ‐10mA
I
E
= 0, V
CB
= ‐3V
I
E
= 0, V
CB
= ‐30V
I
E
= 0, V
CB
= ‐10V
V
CC
= 0V
V
CC
= ±80V
I
C
= ‐1mA, V
CE
= ‐5V
I
C
= ‐100µA, V
CE
= ‐5V, BW=200Hz, R
G
= 10Ω,
f = 1KHz
注意事项:
1. Absolute Maximum ratings are limiting values above which serviceability may be impaired
2. The reverse base‐to‐emitter voltage must never exceed 6.2 volts; the reverse base‐to‐emitter current must never exceed 10µA.
SOIC (顶视图)
可用的软件包:
LS3550B采用SOIC
LS3550B可作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸:
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
www.micross.com/distribution.aspx
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