LS5912
单片双
N沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix公司&国家2N5912
该LS5912是单片双JFET的。单片
双芯片的设计减少了寄生效应，并给出更好
性能在非常高的频率，同时确保
极其严格匹配。这些器件的
用作宽带差分绝佳选择
在严格的测试和测量放大器
应用程序。该LS5912是直接替换
停产Siliconix公司和国家LS5912 。
所述密封TO -71非常适合用于军事
和恶劣环境下的应用。
（见包装信息） 。
特点是什么？
Improved Direct Replacement for SILICONIX & NATIONAL 2N5912
LOW NOISE (10KHz)
e
n
~ 4nV/√Hz
HIGH TRANSCONDUCTANCE (100MHz)
g
fs
≥ 4000µS
1
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散（总）
最大电流
栅极电流
最大电压不
栅漏
门源
MIN †
‐‐
TYP †
‐‐
MAX`
15
单位“
mV
‐65°C to +150°C
‐55°C to +135°C
500mW
50mA
‐25V
‐25V
条件“
V
DG
= 10V, I
D
= 5mA
LS5912应用：
宽带差分放大器
高速，温度补偿的单
端输入放大器
高速比较器
阻抗转换器和振动
探测器
.
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise stated)
SYMBOL
特点】
|V
GS1
– V
GS2
|
差分门源截止电压
∆|V
GS1
– V
GS2
I
DSS1
|I
G1
– I
g
fs1
CMRR
共模抑制比
‐‐
85
‐‐
dB
（典型值） *
‐‐
‐‐
0.7
‐‐
‐‐
‐1
‐1
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
7
4
马克斯。
‐5
‐‐
‐4
40
‐50
‐50
10000
10000
100
150
5
1.2
1
20
10
单位“
V
mA
pA
µS
pF
dB
内华达州/ √Hz的
条件“
I
G
= ‐1µA, V
DS
= 0V
V
DS
= 10V, I
D
= 1nA
I
G
= 1mA, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V, I
G
= 5mA
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
GS
= ‐15V, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V, I
D
= 5mA
V
DG
= 10V, I
D
= 5mA
正向跨导
输出电导
输入电容
反向传输电容
噪声系数
等效输入噪声电压
4000
4000
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
V
DG
= 5V to 10V, I
D
= 5mA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
GSS
门源击穿电压
‐25
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
‐1
V
GS （ F）
门源正向电压
‐‐
V
GS
门源电压
‐0.3
3
I
DSS
门源饱和电流
7
3
I
GSS
栅极泄漏电流
‐‐
I
G
门工作电流
‐‐
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
NF
e
n
V
DG
= 10V, I
D
= 5mA, f = 1MHz
V
DG
= 10V, I
D
= 5mA, f = 10kHz, R
G
= 100KΩ
V
DG
= 10V, I
D
= 5mA, f = 100Hz
V
DG
= 10V, I
D
= 5mA, f = 10kHz
注：1。绝对最大额定值的限制值，超过该适用性可能受到损害
2.脉冲测试： PW ≤ 300μS占空比≤ 3 ％
3. Assumes smaller value in numerator
可用的软件包：
TO- 71 （顶视图）
请联系Micross全包和模具尺寸：
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
www.micross.com/distribution.aspx
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LS5912采用TO- 71
作为裸模LS5912
MICROSS [ MICROSS COMPONENTS ]
