LS833
单片双
N沟道JFET
线性系统的超低漏电低漂移单片双路JFET
该LS833是一个高性能的单片双
JFET具有极低的噪声，紧身失调电压
和低温度漂移的规格，并且是
在宽范围的精确定位的使用
仪器仪表应用。该LS833配有25-
mV的失调和75 μV /°C的漂移。
8引脚P- DIP和8引脚SOIC提供方便
制造，并且对称引出线防止
不正确的方向。
（见包装信息） 。
特点是什么？
低漂移
| V
GS1‐2
/ T| ≤75µV/°C
低漏
I
G
= 0.5pA MAX.
低噪声
e
n
= 70nV/√Hz TYP.
低电容
C
ISS =
= 3pF MAX.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
‐65°C to +150°C
工作结温
+150°C
Maximum Voltage and Current for Each Transistor – Note 1
‐V
GSS
栅极电压漏极或源极
40V
‐V
DSO
漏源极电压
40V
‐I
G（ F）
门正向电流
10mA
‐I
G
门反向电流
10µA
最大功率耗散
Device Dissipation @ Free Air – Total 400mW @ +125°C
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED
SYMBOL
特征值单位条件
| V
GS1‐2
/ T | MAX 。
漂移VS.
75
μV/°C V
DG
=10V, I
D
=30µA
温度是多少？
T
A
=‐55°C to +125°C
| V
GS1‐2
|最大。
失调电压
25
mV
V
DG
=10V, I
D=
30µA
（典型值） *
1
2
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
5
1
‐‐
‐‐
90
90
‐‐
20
‐‐
‐‐
‐‐
马克斯。
5
4.5
4
0.5
0.5
1.0
1.0
‐‐
5
0.5
‐‐
‐‐
1
70
3
1.5
0.1
单位“
%
V
V
pA
nA
pA
nA
pA
μmho
μmho
dB
条件“
S
= 0
= 0V
V
DS
= 10V I
D
= 1nA
V
DS
=10V I
D
=30µA
V
DG
= 10V I
D
= 30µA
T
A
= +125°C
V
DS
=0
V
GS
= 0V, V
GS
= ‐20V, T
A
= +125°C
V
GG
= 20V
V
DG
= 10V V
GS
= 0V
V
DG
= 10V I
D
= 30µA
∆V
DS
= 10 to 20V I
D
=30µA
∆V
DS
= 5 to 10V I
D
=30µA
V
DS
= 10V V
GS
= 0V R
G
= 10MΩ
f= 100Hz NBW= 6Hz
V
DS
=10V I
D
=30µA f=10Hz NBW=1Hz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V, f= 1MHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V, f= 1MHz
V
DS
= 10V, I
D
=30µA
LS833应用：
宽带差分放大器
高速，温度补偿的单
端输入放大器
高速比较器
阻抗转换器和振动
探测器。
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
GSS
BV
GGO
Y
FSS
Y
fS
|Y
FS1‐2
/ Y
FS
I
DSS
|I
DSS1‐2
/ I
DSS
|
错配的全导
‐‐
栅极电压
V
GS
（关闭）或V
p
夹断电压
0.6
V
GS
（上）
工作范围
‐‐
栅极电流
‐I
G
马克斯。
经营？
‐‐
‐I
G
马克斯。
高温
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
在全导通
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
高温
5
I
GGO
栅极到栅极漏
‐‐
输出电导
Y
OSS
全导
‐‐
Y
OS
经营？
‐‐
共模抑制
CMR刀
‐20 log | V
GS1‐2
/ V
DS
|
‐‐
‐20 log | V
GS1‐2
/ V
DS
|
‐‐
NOISE
NF
身材
‐‐
e
n
电压是多少？
‐‐
Capacitance
C
国际空间站
输入 -
‐‐
C
RSS
反向传输
‐‐
C
DD
漏漏
‐‐
dB
内华达州/ √Hz的
pF
pF
pF
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
PDIP & SOIC （顶视图）
可用的软件包：
LS833 / LS833在P- DIP & SOIC
LS833 / LS833可作为裸模
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