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LS841_TO-71 参数 Datasheet PDF下载

LS841_TO-71图片预览
型号: LS841_TO-71
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内容描述: 单片双N沟道JFET [MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 279 K
品牌: MICROSS [ MICROSS COMPONENTS ]
   
LS841
单片双
N沟道JFET
线性系统的超低漏电低漂移单片双路JFET
该LS841是一个高性能的单片双
JFET具有极低的噪声,紧身失调电压
和低温度漂移的规格,并且是
在宽范围的精确定位的使用
仪器仪表应用。该LS841采用的10
mV偏移量和10 μV/°C的漂移。
该密封TO - 71 & TO- 78封装的
非常适用于军事和恶劣环境
应用程序。
(见包装信息) 。
特点是什么?
低漂移
| V 
GS1‐2 
/ T| ≤10µV/°C 
低漏
I
G
 = 10pA TYP. 
低噪声
e
= 8nV/√Hz TYP. 
低失调电压
| V 
GS1‐2
|≤10mV  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted) 
最高温度
储存温度
‐65°C to +150°C 
工作结温
+150°C 
Maximum Voltage and Current for Each Transistor – Note 1 
‐V
GSS
 
栅极电压漏极或源极
60V 
‐V
DSO
 
漏源极电压
60V 
‐I
G( F)
 
门正向电流
50mA 
最大功率耗散
Device Dissipation @ Free Air – Total                 400mW @ +125°C 
 
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED
SYMBOL
特征值单位条件
| V 
GS1‐2 
/ T | MAX 。
漂移VS.
10 
μV/°C V
DG
=20V, I
D
=200µA 
温度是多少?
T
A
=‐55°C to +125°C 
| V 
GS1‐2 
|最大。
失调电压
10 
mV 
V
DG
=20V, I
D=
200µA 
(典型值) *
60 
 
‐‐ 
 
10 
‐‐ 
‐‐ 
 
‐‐ 
0.1 
0.01 
 
100 
75 
 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
 
1.2 
0.1 
马克斯。
‐‐ 
 
4.5 
 
50 
50 
‐‐ 
100 
 
10 
0.1 
 
‐‐ 
‐‐ 
 
0.5 
10 
15 
10 
‐‐ 
单位“
 
 
pA 
nA 
pA 
pA 
 
μmho
μmho
μmho
 
dB 
条件“
V
DS 
= 0                  I
D
=1nA 
S
= 0 
= 0V 
 
V
DS
= 20V               I
D
= 1nA 
              V
DS
=20V                 I
D
=200µA 
 
V
DG
= 20V I
D
= 200µA 
T
A
= +125°C
 
V
DG 
= 10V I
D
= 200µA 
V
DG
= 20V , V
DS
=0 
 
V
DG
= 20V              V
GS
= 0V 
V
DG
=  20V            I
D
= 200µA 
LS841应用:
宽带差分放大器
高速,温度补偿的单
端输入放大器
高速比较器
阻抗转换器和振动
探测器。
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
GSS
 
击穿电压
60 
BV
GGO
 
 
Y
FSS
 
Y
fS
 
|Y
FS1‐2 
/ Y
 FS
 
I
DSS
 
|I
DSS1‐2 
/ I
DSS
栅极电压
 
 
V
GS
(关闭)或V
p
 
夹断电压
V
GS
(上)
工作范围
0.5 
栅极电流
 
 
‐I
G
马克斯。
经营?
‐‐ 
‐I
G
马克斯。
高温
‐‐ 
‐I
G
马克斯。
降低V
DG
 
‐‐ 
‐I
GSS
马克斯。
在全导通
‐‐ 
输出电导
 
 
Y
OSS
 
全导
‐‐ 
Y
OS
 
经营?
‐‐ 
|Y
OS1‐2
微分
‐‐ 
 
共模抑制
 
CMR刀
‐20 log | V 
GS1‐2
/ V 
DS
‐‐ 
‐20 log | V 
GS1‐2
/ V 
DS
‐‐ 
 
NOISE
 
NF 
身材
‐‐ 
e
n
 
电压是多少?
‐‐ 
‐‐ 
 
Capacitance
 
C
国际空间站
 
输入 -
‐‐ 
C
RSS
 
反向传输
‐‐ 
C
DD
 
漏漏
‐‐ 
 
dB 
内华达州/ √Hz的
 
 
pF 
 
 
∆V
DS 
= 10 to 20V        I
D
=200µA 
∆V
DS 
= 5 to 10V        I
D
=200µA 
V
DS
= 20V      V
GS
= 0V       R
G
= 10MΩ 
f= 100Hz           NBW= 6Hz 
V
DS
=20V   I
D
=200µA  f=1KHz NBW=1Hz 
V
DS
=20V   I
D
=200µA  f=10Hz NBW=1Hz 
 
V
DS
= 20V,   I
D
=200µA   
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
TO- 71 & TO- 78 (顶视图)
可用的软件包:
LS841 / LS841采用TO- 78 & TO- 71
LS841 / LS841可作为裸模
请联系
Micross
全包和模具尺寸
电话:+44 1603 788967
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
http://www.micross.com/distribution
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