LS841
单片双
N沟道JFET
线性系统的超低漏电低漂移单片双路JFET
该LS841是一个高性能的单片双
JFET具有极低的噪声,紧身失调电压
和低温度漂移的规格,并且是
在宽范围的精确定位的使用
仪器仪表应用。该LS841采用的10
mV偏移量和10 μV/°C的漂移。
该密封TO - 71 & TO- 78封装的
非常适用于军事和恶劣环境
应用程序。
(见包装信息) 。
特点是什么?
低漂移
| V
GS1‐2
/ T| ≤10µV/°C
低漏
I
G
= 10pA TYP.
低噪声
e
n
= 8nV/√Hz TYP.
低失调电压
| V
GS1‐2
| ≤10mV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
‐65°C to +150°C
工作结温
+150°C
Maximum Voltage and Current for Each Transistor – Note 1
‐V
GSS
栅极电压漏极或源极
60V
‐V
DSO
漏源极电压
60V
‐I
G( F)
门正向电流
50mA
最大功率耗散
Device Dissipation @ Free Air – Total 400mW @ +125°C
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED
SYMBOL
特征值单位条件
| V
GS1‐2
/ T | MAX 。
漂移VS.
10
μV/°C V
DG
=20V, I
D
=200µA
温度是多少?
T
A
=‐55°C to +125°C
| V
GS1‐2
|最大。
失调电压
10
mV
V
DG
=20V, I
D=
200µA
(典型值) *
60
2
‐‐
10
‐‐
5
‐‐
‐‐
0.1
0.01
100
75
‐‐
‐‐
‐‐
4
1.2
0.1
马克斯。
‐‐
4.5
4
50
50
‐‐
100
10
1
0.1
‐‐
‐‐
0.5
10
15
10
5
‐‐
单位“
V
V
V
pA
nA
pA
pA
μmho
μmho
μmho
dB
条件“
V
DS
= 0 I
D
=1nA
S
= 0
= 0V
V
DS
= 20V I
D
= 1nA
V
DS
=20V I
D
=200µA
V
DG
= 20V I
D
= 200µA
T
A
= +125°C
V
DG
= 10V I
D
= 200µA
V
DG
= 20V , V
DS
=0
V
DG
= 20V V
GS
= 0V
V
DG
= 20V I
D
= 200µA
LS841应用:
宽带差分放大器
高速,温度补偿的单
端输入放大器
高速比较器
阻抗转换器和振动
探测器。
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
GSS
击穿电压
60
BV
GGO
Y
FSS
Y
fS
|Y
FS1‐2
/ Y
FS
I
DSS
|I
DSS1‐2
/ I
DSS
栅极电压
V
GS
(关闭)或V
p
夹断电压
1
V
GS
(上)
工作范围
0.5
栅极电流
‐I
G
马克斯。
经营?
‐‐
‐I
G
马克斯。
高温
‐‐
‐I
G
马克斯。
降低V
DG
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
在全导通
‐‐
输出电导
Y
OSS
全导
‐‐
Y
OS
经营?
‐‐
|Y
OS1‐2
|
微分
‐‐
共模抑制
CMR刀
‐20 log | V
GS1‐2
/ V
DS
|
‐‐
‐20 log | V
GS1‐2
/ V
DS
|
‐‐
NOISE
NF
身材
‐‐
e
n
电压是多少?
‐‐
‐‐
Capacitance
C
国际空间站
输入 -
‐‐
C
RSS
反向传输
‐‐
C
DD
漏漏
‐‐
dB
内华达州/ √Hz的
pF
∆V
DS
= 10 to 20V I
D
=200µA
∆V
DS
= 5 to 10V I
D
=200µA
V
DS
= 20V V
GS
= 0V R
G
= 10MΩ
f= 100Hz NBW= 6Hz
V
DS
=20V I
D
=200µA f=1KHz NBW=1Hz
V
DS
=20V I
D
=200µA f=10Hz NBW=1Hz
V
DS
= 20V, I
D
=200µA
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
TO- 71 & TO- 78 (顶视图)
可用的软件包:
LS841 / LS841采用TO- 78 & TO- 71
LS841 / LS841可作为裸模
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