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LS843_TO-71 参数 Datasheet PDF下载

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型号: LS843_TO-71
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内容描述: 单片双N沟道JFET [MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 280 K
品牌: MICROSS [ MICROSS COMPONENTS ]
   
LS843
单片双
N沟道JFET
线性系统的超低漏电低漂移单片双路JFET
该LS843是一个高性能的单片双
JFET具有极低的噪声,紧身失调电压
和低温度漂移的规格,并且是
在宽范围的精确定位的使用
仪器仪表应用。该LS843配有1
mV的偏移和5 μV /°C的漂移。
该密封TO - 71 & TO- 78封装的
非常适用于军事和恶劣环境
应用程序。
(见包装信息) 。
特点是什么?
低漂移
| V 
GS1‐2 
/ T| ≤5µV/°C 
低漏
I
G
 = 15pA TYP. 
低噪声
e
= 3nV/√Hz TYP. 
低失调电压
| V 
GS1‐2
| ≤1mV 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted) 
最高温度
储存温度
‐65°C to +150°C 
工作结温
+150°C 
Maximum Voltage and Current for Each Transistor – Note 1 
‐V
GSS
 
栅极电压漏极或源极
60V 
‐V
DSO
 
漏源极电压
60V 
‐I
G( F)
 
门正向电流
50mA 
最大功率耗散
Device Dissipation @ Free Air – Total                 400mW @ +125°C 
 
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED
SYMBOL
特征值单位条件
| V 
GS1‐2 
/ T | MAX 。
漂移VS.
μV/°C V
DG
=10V, I
D
=500µA 
温度是多少?
T
A
=‐55°C to +125°C 
| V 
GS1‐2 
|最大。
失调电压
mV 
V
DG
=10V, I
D=
500µA 
马克斯。
‐‐ 
 
3.5 
3.5 
 
50 
50 
30 
100 
 
20 
0.2 
 
‐‐ 
‐‐ 
 
0.5 
11 
 
‐‐ 
单位“
 
 
pA 
nA 
pA 
pA 
 
μmho
μmho
μmho
 
dB 
条件“
V
DS 
= 0                  I
D
=1nA 
S
= 0 
= 0V 
 
V
DS
= 15V               I
D
= 1nA 
              V
DS
=15V                 I
D
=500µA 
 
V
DG
= 15V I
D
= 500µA 
T
A
= +125°C
 
V
DG 
= 3V I
D
= 500µA 
V
DG
= 15V , V
DS
=0 
 
V
DG
= 15V              V
GS
= 0V 
V
DG
=  15V            I
D
= 500µA 
LS843应用:
宽带差分放大器
高速,温度补偿的单
端输入放大器
高速比较器
阻抗转换器和振动
探测器。
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特色」
分钟。
(典型值) *
BV
GSS
 
击穿电压
60 
‐‐ 
BV
GGO
 
 
Y
FSS
 
Y
fS
 
|Y
FS1‐2 
/ Y
 FS
 
I
DSS
 
|I
DSS1‐2 
/ I
DSS
栅极电压
 
 
 
V
GS
(关闭)或V
p
 
夹断电压
‐‐ 
V
GS
(上)
工作范围
0.5 
‐‐ 
栅极电流
 
 
 
‐I
G
马克斯。
经营?
‐‐ 
15 
‐I
G
马克斯。
高温
‐‐ 
‐‐ 
‐I
G
马克斯。
降低V
DG
 
‐‐ 
‐I
GSS
马克斯。
在全导通
‐‐ 
‐‐ 
输出电导
 
 
 
Y
OSS
 
全导
‐‐ 
‐‐ 
Y
OS
 
经营?
‐‐ 
0.2 
|Y
OS1‐2
微分
‐‐ 
0.02 
 
共模抑制
 
 
CMR刀
‐20 log | V 
GS1‐2
/ V 
DS
90 
110 
‐20 log | V 
GS1‐2
/ V 
DS
‐‐ 
85 
 
NOISE
 
 
NF 
身材
‐‐ 
‐‐ 
e
n
 
电压是多少?
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
 
Capacitance
 
 
C
国际空间站
 
输入 -
‐‐ 
‐‐ 
C
RSS
 
反向传输
‐‐ 
‐‐ 
C
DD
 
漏漏
‐‐ 
0.5 
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
 
dB 
内华达州/ √Hz的
 
 
pF 
 
 
∆V
DS 
= 10 to 20V        I
D
=500µA 
∆V
DS 
= 5 to 10V        I
D
=500µA 
V
DS
= 15V      V
GS
= 0V       R
G
= 10MΩ 
f= 100Hz           NBW= 6Hz 
V
DS
=15V   I
D
=500µA  f=1KHz NBW=1Hz 
V
DS
=15V   I
D
=500µA  f=10Hz NBW=1Hz 
 
V
DS
= 15V,   I
D
=500µA   
 
V
DG
= 15V,   I
D
=500µA   
TO- 71 & TO- 78 (顶视图)
可用的软件包:
LS843 / LS843采用TO- 71 & TO- 78
LS843 / LS843可作为裸模
请联系
Micross
全包和模具尺寸
电话:+44 1603 788967
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
http://www.micross.com/distribution
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