LS846
N沟道JFET
线性系统的低漏低噪声JFET
该LS846是一个高性能的JFET具有
极低的噪声和低泄漏,并有针对性的进行
在宽范围的精密仪器使用
应用程序。
8引脚P- DIP和8引脚SOIC提供方便
制造,并且对称引出线防止
不正确的方向。
(见包装信息) 。
特点是什么?
低漏
I
G
= 15pA TYP.
低噪声
e
n
= 3nV/√Hz TYP.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
‐65°C to +150°C
工作结温
+135°C
Maximum Voltage and Current– Note 1
‐V
GSS
栅极电压漏极或源极
60V
‐V
GDS
栅极电压漏极或源极
60V
‐V
DSO
漏源极电压
60V
‐I
G( F)
门正向电流
50mA
最大功率耗散
Device Dissipation @ Free Air – Total 350mW @ +125°C
马克斯。
‐‐
50
50
30
100
20
2
0.5
7
8
3
单位“
V
pA
nA
pA
pA
μmho
μmho
dB
内华达州/ √Hz的
pF
条件“
V
DS
= 0 I
D
=1nA
= 0V
=500µA
V
DG
= 15V I
D
= 500µA
T
A
= +125°C
V
DG
= 3V I
D
= 500µA
V
DG
= 15V , V
DS
=0
V
DG
= 15V V
GS
= 0V
V
DG
= 15V I
D
= 500µA
V
DS
= 15V V
GS
= 0V R
G
= 10MΩ
f= 100Hz NBW= 6Hz
V
DS
=15V I
D
=500µA f=1KHz NBW=1Hz
V
DS
= 15V, I
D
=500µA
V
DG
= 15V, I
D
=500µA
LS846应用:
宽带差分放大器
高速,温度补偿的单
端输入放大器
高速比较器
阻抗转换器和振动
探测器。
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特色」
分钟。
(典型值) *
BV
GSS
击穿电压
60
‐‐
Y
FSS
Y
fS
I
DSS
V
GS
(关闭)或V
V
GS
(上)
栅极电流
‐I
G
马克斯。
经营?
‐‐
15
‐I
G
马克斯。
高温
‐‐
‐‐
‐I
G
马克斯。
降低V
DG
‐‐
5
‐I
GSS
马克斯。
在全导通
‐‐
‐‐
输出电导
Y
OSS
全导
‐‐
‐‐
Y
OS
经营?
‐‐
0.2
NOISE
NF
身材
‐‐
‐‐
e
n
噪声电压
‐‐
3
Capacitance
C
国际空间站
输入 -
‐‐
‐‐
C
RSS
反向传输
‐‐
‐‐
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
PDIP & SOIC (顶视图)
可用的软件包:
LS846 / LS846在PDIP & SOIC
LS846 / LS846可作为裸模
请联系
Micross
全包和模具尺寸
电话:+44 1603 788967
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
http://www.micross.com/distribution
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是,没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。