LSDPAD10
低漏
PICO - AMP双二极管
线性系统替换停产Siliconix公司LSDPAD10
该LSDPAD10是低漏电单片双微微安培二极管
该LSDPAD10极低的泄漏单片双
二极管提供了优越的替代常规
二极管技术时,反向电流(漏)必须的
被最小化。除了单块双
施工允许每个优秀的电容匹配
二极管。该LSDPAD10设有一个漏电流 -
10pA的并且很适合于使用在诸如
对运算放大器的输入保护。
特点是什么?
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX LSDPAD10
高的分离
电容匹配极佳
超低漏
反向击穿电压
REVERSE电容
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
Forward Current (Note 1)
20fA
∆C
R
≤ 0.5pF
≤ 10 pA
BV
R
≥ ‐45V
C
RSS
≤ 2.0pF
LSDPAD10优点:
可以忽略不计电路漏电贡献
电路“透明”除了分流
高频尖峰
操作简单
‐65°C to +150°C
‐55°C to +135°C
500mW
50mA
LSDPAD10应用:
LSDPAD10 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
BV
R
V
F
C
RSS
总的反向电容
‐‐
‐‐
|C
R1
‐C
R2
|
差动电容( ΔC
R
)
‐‐
‐‐
I
R
最大反向漏电流
‐‐
‐‐
2.0
0.5
‐10
pF
pF
pA
TO- 72 (底视图)
V
R
= ‐5V, f = 1MHz
V
R1
= V
R2
= ‐5V, f = 1MHz
V
R
= ‐ 20V
注意事项:
1.绝对最大额定值的限制值,超过该LSDPAD10适用性可能受到损害。
可用的软件包:
LSDPAD10在TO- 72
LSDPAD10可作为裸模
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