LSJ175
P沟道JFET
线性系统的替代停产的Siliconix J175
该LSJ175是单P沟道JFET开关
此p沟道模拟开关被设计为提供低
导通电阻和快速切换。当使用
与免费Ĵ组合/ SST111正
通道家族中， LSJ175简化了串并联
切换应用程序
.
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应
消除了额外的缓冲
特点是什么？
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J175
低导通电阻
低栅工作电流
快速开关
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
Gate Current (Note 1)
最大电压不
栅漏电压
门源电压
r
DS （ ON） =
≤ 125Ω
I
D（关闭）
= 10pA
t
（上）
25ns
LSJ175优点：
‐55°C to +150°C
‐55°C to +135°C
350mW
I
G
= ‐50mA
V
GDS
= 30V
V
GSS
= 30V
LSJ175应用：
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
LSJ175 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
BV
GSS
V
GS （ F）
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
‐‐
‐‐
LSJ175 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
单位“
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
10
15
10
20
ns
Ω
条件“
V
GS
(L) = 0V
V
GS
(H) = 10V
见开关电路
125
V
GS
= 0V, V
DS
= ‐0.1V
Note 1 ‐ Absolute maximum ratings are limiting values above which LSJ175 serviceability may be impaired.
LSJ175 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS SWITCHING CIRCUIT
SOT- 23 （顶视图）
V
DD
‐6V
V
GG
12V
R
L
750Ω
R
G
220Ω
I
D（上）
‐7mA
Micross组件
欧洲
可用的软件包：
LSJ175采用SOT -23
LSJ175裸片。
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