LSJ308
N沟道JFET
线性系统的替代停产的Siliconix J308
该LSJ308是高频n沟道JFET的
提供广泛和低噪声性能。该
TO-92封装，非常适合成本敏感
应用程序和大量生产。
（见包装信息） 。
特点是什么？
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J308
杰出高频增益
低高频率的噪音
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C
1
G
pg
= 11.5dB
NF = 2.7dB
最高温度
储存温度
‐55°C to +150°C
高功率低噪声增益
工作结温
‐55°C to +135°C
动态范围越大大于100dB
最大功率耗散
很容易匹配到75Ω输入
连续功率耗散
350mW
LSJ308应用：
最大电流
栅极电流
10mA
UHV / VHF放大器
最大电压不
调音台
栅漏电压或门源电压
‐25V
振荡器
LSJ308 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
（典型值） *
MAX`
盟
条件“
BV
GSS
门源击穿电压
‐25
‐‐
‐‐
V
V
DS
= 0V, I
G
= ‐1µA
V
GS （ F）
门源正向电压
0.7
‐‐
1
V
DS
= 0V, I
G
= 10mA
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
‐1
‐‐
‐6.5
V
DS
= 10V, I
D
= 1nA
2
I
DSS
漏极至源极饱和电流
12
‐‐
60
mA
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
I
G
Gate Operating Current (Note 3)
‐‐
‐15
‐‐
pA
V
DG
= 9V, I
D
= 10mA
r
DS （ ON）
LSJ308 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
等效噪声电压
6
‐‐
‐‐
内华达州/ √Hz的
V
DS
= 10V, I
D
= 10mA , f = 100Hz
LSJ308 HIGH FREQUENCY CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
TYP †
MAX`
盟
条件“
LSJ308优点：
噪声系数
功率增益
3
正向跨导
输出电导
f = 105MHz
f = 450MHz
f = 105MHz
f = 450MHz
f = 105MHz
f = 450MHz
f = 105MHz
f = 450MHz
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
1.5
2.7
16
11.5
14
13
0.16
0.55
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
dB
dB
mS
可用的软件包：
LSLSJ308在TO- 92
LSLSJ308裸片。
TO- 92 （底视图）
NF
G
pg
g
fg
g
og
V
DS
= 10V, I
D
= 10mA
注1 - 绝对最大额定值的限制值，超过该LSJ308适用性可能受到损害。
注2 - 脉冲测试： PW ≤ 300μS ，占空比≤ 3 ％
Note 3 ‐ Measured at optimum input noise match
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