SST201
N沟道JFET
线性系统替换停产的Siliconix SST201
在SST201是一个高增益N沟道JFET的
这n沟道JFET进行了优化，高增益。该
部分是特别适合于在低功率或高使用
阻抗放大器。采用SOT -23封装的很好
适用于成本敏感的应用和质量
生产。
（见包装信息） 。
特点是什么？
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX SST201
LOW CUT OFF电压
V
GS （关闭）
≤ 1.5
高增益
A
V
= 80 V/V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
Forward Gate Current (Note 1)
最大电压不
栅漏电压
门源电压
‐65°C to +150°C
‐55°C to +135°C
350mW
50mA
V
GDS
= ‐40V
V
GSS
= ‐40V
SST201优点：
高输入阻抗
低截止电压
低噪音
SST201应用：
电池供电的放大器
音频前置放大器
红外检测放大器
SST201 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
排水截止电流
‐‐
g
fs
正向跨导
0.5
C
国际空间站
输入电容
‐‐
C
RSS
反向传输电容
‐‐
e
n
等效噪声电压
‐‐
mS
pF
内华达州/ √Hz的
可用的软件包：
SST201采用SOT -23
SST201裸片。
请联系Micross全
包装及模具尺寸
SOT- 23 （顶视图）
2
‐‐
4.5
1.3
6
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
V
DS
= 15V, V
GS
= ‐5V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V , f = 1kHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V, f = 1MHz
V
DS
= 10V, I
D
= 1mA , f = 1kHz
注1 - 绝对最大额定值的限制值，超过该SST201适用性可能受到损害。
注2 - 脉冲测试： PW≤ 300微秒，占空比≤ 3 ％
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