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SST4117_SOT-23 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SST4117_SOT-23
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内容描述: 超高输入阻抗N沟道JFET [an Ultra-High Input Impedance N-Channel JFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 279 K
品牌: MICROSS [ MICROSS COMPONENTS ]
   
SST4117
N沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix公司SST4117
该SST4117是超高输入阻抗N沟道JFET
该SST4117提供超高的输入阻抗。该
设备被指定为10 pA的限制,是理想的使用
作为高阻抗敏感前置放大器。
特点是什么?
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX SST4117 
低功耗
最低电路负载
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted) 
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
Gate Current (Note 1) 
最大电压不
Gate to Drain or Gate to Source (Note 2) 
 
I
DSS
<90 µA
 
I
GSS
<10 pA 
SST4117优点:
微不足道的信号丢失/错误电压
与高阻抗源
低功耗(电池)
最大信号输出,低噪声
灵敏度高低电平信号
‐65°C to +175°C 
‐55°C to +150°C 
300mW 
50mA 
‐40V 
 
SST4117应用:
高阻抗传感器
感烟探测器输入
红外检测放大器
精密测试设备
 
SST4117 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
BV
GSS
 
V
GS ( OFF )
 
I
DSS
 
I
GSS
 
‐‐ 
‐‐ 
‐25 
V
GS 
= ‐20V,  V
DS
 = 0V,  150°C 
g
fs
 
Forward Transconductance(Note 3) 
70 
‐‐ 
210 
μmho
V
DS
 = 10V,   V
GS 
= 0V,   f = 1kHz 
 
g
os
 
输出电导
‐‐ 
‐‐ 
C
国际空间站
 
输入电容
‐‐ 
‐‐ 
pF 
V
DS
 = 10V,   V
GS 
= 0V,   f = 1MHz 
C
RSS
 
反向传输电容
‐‐ 
‐‐ 
1.5 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 . Absolute maximum ratings are limiting values above which SST4117 serviceability may be impaired.  
注。
2.  Due to symmetrical geometry, these units may be operated with source and drain leads interchanged 
3. This parameter is measured during a 2ms interval 100ms after power is applied.  (Not a JEDEC condition.) 
可用的软件包:
SST4117采用SOT -23
SST4117裸片。
SOT- 23 (顶视图)
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