SST5018
P沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix公司SST5018
该SST5018是单P沟道JFET开关
此p沟道模拟开关被设计为提供低
导通电阻和快速切换。
采用SOT -23封装，提供了便于制造，
和较低的成本组件的选择。
（见包装信息） 。
特点是什么？
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX SST5018
零点偏移电压
低导通电阻
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted)
r
DS （ ON） =
≤ 75Ω
最高温度
储存温度
‐55°C to +200°C
低插入损耗
工作结温
‐55°C to +200°C
无偏移或封闭的误差电压产生
最大功率耗散
开关
连续功率耗散
500mW
纯电阻
最大电流
SST5018应用：
Gate Current (Note 1)
I
G
= ‐50mA
模拟开关
最大电压不
换向器
栅漏电压
V
GDS
= 30V
菜刀
门源电压
V
GSS
= 30V
SST5018 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
（典型值） *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
门源击穿电压
30
‐‐
‐‐
I
G
= 1µA, V
DS
= 0V
V
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
‐‐
‐‐
10
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐1µA
V
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
I
D（关闭）
I
DGO
r
DS （ ON）
SST5018 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
（典型值） *
MAX`
单位“
条件“
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
‐‐
‐‐
75
Ω
I
D
= 0A, V
GS
= 0V, f = 1kHz
C
国际空间站
输入电容
‐‐
‐‐
45
pF
V
DS
= ‐15V, V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
RSS
反向传输电容
‐‐
‐‐
10
V
DS
= 0V, V
GS
= 12V, f = 1MHz
SST5018 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
单位“
条件“
SST5018优点：
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
15
20
15
50
ns
V
GS
(L) = 12V
V
GS
(H) = 0V
见开关电路
SST5018采用SOT -23
SST5018裸片。
请联系Micross全
包装及模具尺寸
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
http://www.micross.com/distribution
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
切换测试电路
SST5018 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS
SOT- 23 （顶视图）
V
DD
‐6V
可用的软件包：
V
GG
12V
R
L
910Ω
R
G
220Ω
I
D（上）
‐6mA
Micross组件欧洲
注1 - 绝对最大额定值的限制值，超过该SST5018适用性可能受到损害。
注2 - 脉冲测试： PW≤ 300微秒，占空比≤ 3 ％
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