SST5116
P沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix公司SST5116
该模拟开关被设计为反相开关
成反相的运算放大器的输入端。
采用SOT- 23提供了一种低成本的选择和容易
制造业。
(见包装信息) 。
特点是什么?
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX SST5116
低导通电阻
r
DS ( ON) =
≤ 150Ω
低电容
6pF
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
‐55°C to +200°C
SST5116优点:
工作结温
‐55°C to +200°C
低导通电阻
最大功率耗散
I
D(关闭)
≤
500帕
连续功率耗散
500mW
交换机直接从TTL逻辑
最大电流
SST5116应用:
Gate Current (Note 1)
I
G
= ‐50mA
模拟开关
最大电压不
换向器
栅漏电压
V
GDS
= 30V
菜刀
门源电压
V
GSS
= 30V
SST5116 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
(典型值) *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
门源击穿电压
30
‐‐
‐‐
I
G
= 1µA, V
DS
= 0V
V
GS ( OFF )
门源截止电压
1
‐‐
4
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐1nA
V
V
GS ( F)
门源正向电压
‐‐
‐0.7
‐1
I
G
= ‐1mA, V
DS
= 0V
‐‐
‐1.0
‐‐
V
GS
= 0V, I
D
= ‐15mA
V
DS ( ON)
漏极至源极电压上
‐‐
‐0.7
‐‐
V
GS
= 0V, I
D
= ‐7mA
‐‐
‐0.5
‐0.6
V
GS
= 0V, I
D
= ‐3mA
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D(关闭)
r
DS ( ON)
SST5116 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
(典型值) *
MAX`
单位“
条件“
g
fs
正向跨导
‐‐
4.5
‐‐
mS
V
DS
= ‐15V, I
D
= 1mA , f = 1kHz
g
os
输出电导
‐‐
20
‐‐
µS
r
DS ( ON)
漏极至源极导通电阻
‐‐
‐‐
150
Ω
I
D
= 0A, V
GS
= 0V, f = 1kHz
C
国际空间站
输入电容
‐‐
20
25
V
DS
= ‐15V, V
GS
= 0V, f = 1MHz
pF
‐‐
5
‐‐
V
DS
= 0V, V
GS
= 12V, f = 1MHz
C
RSS
反向传输电容
‐‐
6
‐‐
V
DS
= 0V, V
GS
= 7V, f = 1MHz
‐‐
6
7
V
DS
= 0V, V
GS
= 5V, f = 1MHz
e
n
等效噪声电压
‐‐
20
‐‐
内华达州/ √Hz的
V
DG
= 10V, I
D
= 10mA , f = 1kHz
SST5116 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
单位“
条件“
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
12
30
10
50
ns
V
GS
(L) = ‐5V
V
GS
(H) = 0V
见开关电路
‐6V
8V
2kΩ
390Ω
‐3mA
可用的软件包:
SST5116采用SOT -23
SST5116裸片。
请联系Micross全
包装及模具尺寸
SOT- 23 (顶视图)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
注1 - 绝对最大额定值的限制值,超过该SST5116适用性可能受到损害。注2 - 脉冲测试: PW≤ 300微秒,占空比≤ 3 %
SST5116 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS
V
DD
V
GG
R
L
R
G
I
D(上)
切换测试电路
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