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SST5116_SOT-23 参数 Datasheet PDF下载

SST5116_SOT-23图片预览
型号: SST5116_SOT-23
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内容描述: P沟道JFET [P-CHANNEL JFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 272 K
品牌: MICROSS [ MICROSS COMPONENTS ]
   
SST5116
P沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix公司SST5116
该模拟开关被设计为反相开关
成反相的运算放大器的输入端。
采用SOT- 23提供了一种低成本的选择和容易
制造业。
(见包装信息) 。
特点是什么?
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX SST5116 
低导通电阻
r
DS ( ON) =
≤ 150Ω 
低电容
6pF 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted) 
最高温度
储存温度
‐55°C to +200°C 
SST5116优点:
工作结温
‐55°C to +200°C 
低导通电阻
最大功率耗散
I
D(关闭)
500帕
连续功率耗散
500mW 
交换机直接从TTL逻辑
最大电流
SST5116应用:
Gate Current (Note 1) 
I
G
 = ‐50mA 
模拟开关
最大电压不
换向器
栅漏电压
V
GDS
 = 30V 
菜刀
门源电压
V
GSS
 = 30V 
SST5116 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
(典型值) *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
 
门源击穿电压
30 
‐‐ 
‐‐ 
 
I
= 1µA,   V
DS
 = 0V 
 
V
GS ( OFF )
 
门源截止电压
‐‐ 
V
DS
 = ‐15V, I
D
 = ‐1nA 
V
GS ( F)
 
门源正向电压
‐‐ 
‐0.7 
‐1 
I
= ‐1mA,   V
DS
 = 0V 
 
 
‐‐ 
‐1.0 
‐‐ 
V
GS
 = 0V, I
D
 = ‐15mA 
V
DS ( ON)
 
漏极至源极电压上
‐‐ 
‐0.7 
‐‐ 
V
GS
 = 0V, I
D
 = ‐7mA 
‐‐ 
‐0.5 
‐0.6 
V
GS
 = 0V, I
D
 = ‐3mA 
I
DSS
 
I
GSS
 
I
G
 
 
I
D(关闭)
 
r
DS ( ON)
 
SST5116 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) 
SYMBOL
特点】
MIN †
(典型值) *
MAX`
单位“
条件“
g
fs
 
正向跨导
‐‐ 
4.5 
‐‐ 
mS 
V
DS
 = ‐15V,  I
D
 = 1mA , f = 1kHz 
g
os
 
输出电导
‐‐ 
20 
‐‐ 
µS 
r
DS ( ON)
 
漏极至源极导通电阻
‐‐ 
‐‐ 
150 
Ω 
I
= 0A,   V
GS
 = 0V,   f = 1kHz 
C
国际空间站
 
输入电容
‐‐ 
20 
25 
 
V
DS
 = ‐15V, V
GS 
= 0V, f = 1MHz 
pF 
 
 
‐‐ 
‐‐ 
V
DS
 = 0V, V
GS 
= 12V, f = 1MHz 
C
RSS
 
反向传输电容
‐‐ 
‐‐ 
V
DS
 = 0V, V
GS 
= 7V, f = 1MHz 
‐‐ 
V
DS
 = 0V, V
GS 
= 5V, f = 1MHz 
e
n
 
等效噪声电压
‐‐ 
20 
‐‐ 
内华达州/ √Hz的
V
DG
 = 10V,  I
D
 = 10mA , f = 1kHz 
SST5116 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) 
SYMBOL
特点】
 
单位“
条件“
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
12 
30 
10 
50 
 
 
ns 
V
GS
(L) = ‐5V 
V
GS
(H) = 0V 
 
见开关电路
‐6V 
8V 
2kΩ 
390Ω 
‐3mA 
 
 
 
 
 
可用的软件包:
SST5116采用SOT -23
SST5116裸片。
请联系Micross全
包装及模具尺寸
SOT- 23 (顶视图)
t
D(上)
 
t
r
 
t
D(关闭)
 
t
f
 
注1 - 绝对最大额定值的限制值,超过该SST5116适用性可能受到损害。注2 - 脉冲测试: PW≤ 300微秒,占空比≤ 3 %
                                                                                                                 
SST5116 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS                                                                                                                          
V
DD
 
V
GG
 
R
L
 
R
G
 
I
D(上)
 
切换测试电路
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第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。