SSTDPAD100
低漏
PICO - AMP双二极管
线性系统替换停产Siliconix公司SSTDPAD100
该SSTDPAD100是低漏电单片双微微安培二极管
该SSTDPAD100低漏电单片双二极管
提供了优越的替代传统的二极管
技术时，反向电流（漏）必须
最小化。除了单块双结构
允许每个二极管，电容匹配极佳。该
SSTDPAD100设有-100 pA的泄漏电流
并且非常适合于使用在诸如输入
保护运算放大器。
特点是什么？
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX SSTDPAD100
高的分离
电容匹配极佳
超低漏
反向击穿电压
REVERSE电容
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
Forward Current (Note 1)
20fA
∆C
R
≤ 0.5pF
≤ 100 pA
BV
R
≥ ‐30V
C
RSS
≤ 4.0pF
SSTDPAD100优点：
可以忽略不计电路漏电贡献
电路“透明”除了分流
高频尖峰
操作简单
‐65°C to +150°C
‐55°C to +135°C
500mW
50mA
SSTDPAD100应用：
SSTDPAD100 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
BV
R
V
F
C
RSS
总的反向电容
‐‐
‐‐
4.0
|C
R1
‐C
R2
|
差动电容（ ΔC
R
)
‐‐
‐‐
0.5
I
R
最大反向漏电流
‐‐
‐‐
‐100
pF
pF
pA
SOIC （顶视图）
V
R
= ‐5V, f = 1MHz
V
R1
= V
R2
= ‐5V, f = 1MHz
V
R
= ‐ 20V
注意事项：
1.绝对最大额定值的限制值，超过该SSTDPAD100适用性可能受到损害。
可用的软件包：
SSTDPAD100采用SOIC
SSTDPAD100可作为裸模
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