U425
高输入阻抗
单片双
N沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix的U425
在U425是一款高输入阻抗的单片双N沟道JFET
在U425单片双N沟道JFET设计
以提供差动非常高的输入阻抗
放大和阻抗匹配。在其
许多独特的功能,该系列提供了操作门
目前,在-500 fA的规定。在U425是直接
替代停产Siliconix的U425 。
该密封TO - 71 & TO- 78封装的
非常适用于军事应用。 8引脚P- DIP
和8引脚SOIC提供便于制造,并且
对称的引出线防止不正当的方向。
(见包装信息) 。
特点是什么?
高输入阻抗
高增益
低功耗工作
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted)
I
G
= 0.25pA MAX
gfs = 120µmho MIN
V
GS (关闭)
= 2V MAX
U425的应用:
超低输入电流差动放大器
高速比较器
阻抗转换器
最高温度
储存温度
‐65°C to +150°C
工作结温
+150°C
Maximum Voltage and Current for Each Transistor – Note 1
‐V
GSS
栅极电压漏极或源极
40V
‐V
DSO
漏源极电压
40V
‐I
G( F)
门正向电流
10mA
最大功率耗散
Device Dissipation @ Free Air – Total 400mW @ +125°C
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED
SYMBOL
特征值单位条件
|∆V
GS1‐2
/ ΔT |最大。
漂移VS.
25
μV/°C V
DG
=10V, I
D
=30µA
温度是多少?
T
A
=‐55°C to +125°C
| V
GS1‐2
|最大。
失调电压
15
mV
V
DG
=10V, I
D
=30µA
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
0.1
90
90
‐‐
20
10
‐‐
‐‐
2.0
1.8
.25
250
1.0
1.0
10
3.0
‐‐
‐‐
1
70
‐‐
3.0
1.5
V
V
pA
pA
pA
nA
μmho
μmho
dB
dB
dB
内华达州/ √Hz的
pF
pF
S
= 0
= 0V
V
DS
= 10V I
D
= 1nA
V
DG
= 10V I
D
= 30µA
V
DG
= 10V I
D
= 30µA
T
A
= +125°C
V
DS
= 0V V
GS
= 20V
T
A
= +125°C
V
DS
= 10V V
GS
= 0V
V
DG
= 10V I
D
= 30µA
∆V
DS
= 10 to 20V I
D
= 30µA
∆V
DS
= 5 to 10V I
D
= 30µA
V
DG
= 10V I
D
= 30µA R
G
= 10MΩ
f = 10Hz
V
DG
= 10V I
D
= 30µA f = 10Hz
V
DG
= 10V I
D
= 30µA f = 1KHz
V
DS
= 10V V
GS
= 0 f = 1MHz
P- DIP / SOIC (顶视图)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
BV
GSS
BV
GGO
Y
FSS
Y
fS
I
DSS
栅极电压
V
GS ( OFF )
夹断电压
‐‐
V
GS
工作范围
‐‐
栅极电流
I
G
马克斯。
经营?
‐‐
‐I
G
马克斯。
高温
‐‐
I
GSS
马克斯。
在全导通
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
高温
‐‐
输出电导
Y
OSS
全导
‐‐
Y
OS
经营?
‐‐
共模抑制
CMR刀
‐20 log | ∆V
GS1‐2
/ ∆V
DS
|
‐‐
‐20 log | ∆V
GS1‐2
/ ∆V
DS
|
‐‐
NOISE
NF
身材
‐‐
e
n
电压是多少?
‐‐
‐‐
Capacitance
C
国际空间站
输入 -
‐‐
C
RSS
反向传输
‐‐
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
TO- 71 / TO- 78 (顶视图)
可用的软件包:
U425采用TO- 71 & TO- 78
U425在PDIP & SOIC
U425作为裸模
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