U440
单片双
N沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix的U440
在U440是一个紧密匹配的单片双N沟道JFET
在U440是安装在一个单片双JFET的
单TO- 71封装。单片双芯片设计
降低寄生效应并给出了在非常更好的性能
同时确保极其严密的高频率
匹配。这些器件是一个很好的选择
用在苛刻的宽带差分放大器
测试和测量应用。在U440是
直接替代停产Siliconix的U440 。
所述密封TO -71非常适合用于军事
应用程序。
（见包装信息） 。
U440的应用：
宽带差分放大器
高速，温度补偿的单
端输入放大器
高速比较器
阻抗转换器和振动
探测器
.
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise stated)
SYMBOL
|V
GS1
– V
∆|V
GS1
– V
GS2
I
DSS1
G
fs1
特点是什么？
Direct Replacement for SILICONIX U440
高CMRR
低栅极泄漏
绝对最大额定值
1
@ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散（总）
最大电流
栅极电流
最大电压不
栅漏
门源
门到门
CMRR ≥ 85dB
I
GSS
≤ 1 pA
‐65°C to +150°C
‐55°C to +135°C
500mW
50mA
‐25V
‐25V
±50V
CMRR
85
共模抑制比
dB
（典型值） *
‐3.5
15
‐1
‐1
6
70
3
1
4
马克斯。
‐6
30
‐500
‐500
9
200
单位“
V
V
mA
pA
pA
mS
µS
pF
pF
内华达州/ √Hz的
条件“
I
G
= ‐1µA, V
DS
= 0V
V
DS
= 10V, I
D
= 1nA
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
GS
= ‐15V, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V, I
D
= 5mA
正向跨导
输出电导
输入电容
反向传输电容
等效输入噪声电压
4.5
TO- 71 （顶视图）
V
DG
= 5 to 10V, I
D
= 5mA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
GSS
门源击穿电压
‐25
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
‐1
I
DSS
门源饱和电流
6
3
I
GSS
栅极泄漏电流
I
G
门工作电流
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 10V, I
D
= 5mA, f = 1kHz
V
DS
= 10V, I
D
= 5mA, f = 1MHz
V
DS
= 10V, I
D
= 5mA, f = 10kHz
注意事项：
1. Absolute Maximum ratings are limiting values above which serviceability may be impaired
2.脉冲测试： PW ≤ 300μS占空比≤ 3 ％
3. Assumes smaller value in numerator
可用的软件包：
U440采用TO- 71
U440作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸：
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
www.micross.com/distribution.aspx
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