欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MIC4420CN 参数 Datasheet PDF下载

MIC4420CN图片预览
型号: MIC4420CN
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 6A峰值低侧MOSFET驱动器双极/ CMOS / DMOS工艺 [6A-Peak Low-Side MOSFET Driver Bipolar/CMOS/DMOS Process]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 12 页 / 229 K
品牌: MIC [ MIC GROUP RECTIFIERS ]
 浏览型号MIC4420CN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MIC4420CN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MIC4420CN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MIC4420CN的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MIC4420CN的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MIC4420CN的Datasheet PDF文件第10页浏览型号MIC4420CN的Datasheet PDF文件第11页浏览型号MIC4420CN的Datasheet PDF文件第12页  
MIC4420/4429
容性负载功率耗散
引起的容性负载功耗仅仅是恩
ERGY放入或从由负载电容除去
该驱动程序。存储在电容器中的能量被描述
由等式:
E = 1/2 (C V)
2
由于这种能量是在每次丢失在驱动负载
充电或放电,对功耗的计算
的1/2被除去。这个方程还表明,它是
好习惯不是把更多的电压,电容器
比是必要的,因为耗散随着方
施加在电容器上的电压。用于与一个驱动
容性负载:
P
L
= F c的
其中:
F =工作频率
C =负载电容
V
S
=驱动器电源电压
感性负载功耗
对于感性负载的情况比较复杂。为
在周期的一部分,其中所述驱动器被积极地迫使
电流流入电感器,情况是一样的,因为它是
在电阻的情况下:
P
L1
= I
2
R
O
D
然而,在该实例中第r
O
要求可以是任一
上的驱动器的电阻时其输出是在高
状态,或它的导通电阻时,驾驶员处于低状态,
取决于电感的连接方式,这是
还是只是故事的一半。为周期时的部分
电感迫使电流通过驱动程序,功耗为
最好的形容为
P
L2
= I V
D
(1-D)
其中,V
D
在钳位二极管的正向压降
驱动程序(通常约为0.7V ) 。负载的两部分
散热必须总结在生产P
L
P
L
= P
L1
+ P
L2
静态功耗
静态功耗(P
Q
,如在输入描述
部分)取决于输入是高还是低。低
输入将导致(每个驱动器)的最大电流消耗
≤0.2mA ;逻辑高将导致≤2.0mA的耗用电流。
静态功耗,因此可以得到:
P
Q
= V
S
[ D I
H
1 +(1 - D)的余
L
]
(V
S
)
2
其中:
I
H
=
I
L
=
D=
V
S
=
麦克雷尔INC 。
静态电流与输入高
静态电流与输入低电平
时间输入的分数是高(占空比)
电源电压
过渡功耗
转变电力消耗在每次驾驶它
输出改变状态,因为在过渡期间,为
很短的间隔内,所述的N和P沟道MOSFET在两个
输出图腾柱同时打开,和一个电流
房租是通过他们从V进行
+S
到地面。该
过渡功耗大约是:
P
T
= 2 F V
S
( A• S)
其中,( A• s)为从典型的衍生的时间 - 电流因数
特性曲线。
总功率(P
D
)然后,如先前所描述的是:
P
D
= P
L
+ P
Q
+P
T
德网络nitions
C
L
=法拉负载电容。
D =占空比表示为时间的分数
输入到驱动器是高的。
在赫兹的驱动程序F =工作频率
I
H
=电源电流由驱动器当两个画
输入为高,既不输出被加载。
I
L
=电源电流由驱动器当两个画
输入为低,既不输出被加载。
I
D
=输出电流安培的驱动程序。
P
D
=总功耗(瓦)的驱动程序。
P
L
=功率耗散在驾驶员由于驾驶者的
加载瓦。
P
Q
=功率耗散在静态驱动
瓦。
P
T
=功率消耗在驱动时的输出
改变状态( “直通电流”),在瓦。
注:从双的“直通”电流
过渡(一旦起来,一旦向下)的两位车手
显示由"Typical特性曲线:
交叉区域与电源电压,并在上午
佩尔秒。这张图必须乘以
每秒重复的次数(频率)
到FI ND瓦。
R
O
=在欧姆驱动器的输出电阻。
V
S
=电源电压提供给集成电路中伏。
2005年7月
9
M9999-072205