53111
功率MOSFET光耦
典型特征
所有典型值是在T
A
= 25 ° C，I
F（上）
= 10毫安，V
F（ OFF）
= 0.6V ，除非另有规定。
参数
符号
TEST
条件
V
O
= 28 V
F = 1 MHz的
I
F
= 10毫安
I
O
= 0毫安
I
F
= 10毫安
V
F
= 0 V
F = 1 MHz的
V
我-O
= 0 V
F = 1 MHz的
V
我-O
= 500 V
t为60秒
典型值。
单位
笔记
输出关断电容
输出失调电压
输入二极管温度
系数
输入电容
输入输出
电容
输入，输出电阻
C
O（关）
V
OS
∆V
F
/∆T
A
C
IN
C
我-O
R
我-O
145
2
-1.4
20
1.5
10
13
pF
µV
毫伏/°C的
pF
pF
Ω
7
4
4
6
注意事项：
1.最大结到外壳的热阻为设备是15℃/ W，其中壳体温度T
C
，是
在封装底部的中心测量。
2.等级，参见图5的输出功率P
D
当部分是承受最大获得的评价曲线
平均输出电流I
O
如图3 。
3.在脉冲ř
ON
测量（我
O
持续时间< 30毫秒），环境（T
A
）和外壳温度（T
C
）是相等的。
4.引脚2至3短接在一起，并且引脚5到8短接在一起。
5.这是一个瞬时耐压试验，而不是一个操作条件。
6. V
OS
是I的函数
F
并且销5和8之间所限定，与销5为基准。 V
OS
必须测量
在稳定的环境（无温度梯度） 。
7.零偏置电容的LED的阳极和阴极之间测量的。
注意事项：
应注意不要超过最大输出功率耗散，最大外壳温度，
最高结温时反复切换负载。
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