53272
功率MOSFET光耦
电气规格
T
A
= -55 ° C至+ 125°C ，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
s
V
测试条件
V
F
= 0.6 V
I
O
= 10
µA
I
F
= 10毫安
I
O
= 1 A
（脉冲持续时间
≤
30毫秒）
I
F
= 10毫安
I
O
= 1 A
（脉冲持续时间
≤
30毫秒）
V
F
= 0.6 V
V
O
= 90 V
I
F
= 10毫安
I
F
= 10
µA
RH
≤
为45％ ，T = 5秒
V
我-O
= 1000 VDC
T
A
= 25°C
I
F
= 10毫安
V
DD
= 28 V
I
O
= 800毫安
I
F
= 10毫安
V
DD
= 28 V
I
O
= 800毫安
5, 6
笔记
输出耐压
输出导通电阻
（连接A ）
V
O（关）
90
110
.40
R
（上）
.68
Ω
输出导通电阻
（连接B ）
输出漏电流
输入正向电压
输入反向击穿
电压
输入 - 输出绝缘
I
O（关）
V
F
V
R
I
我-O
1.0
5
0.10
0.18
Ω
4,
科幻gure
1
10
-4
1.7
10
2.1
µA
V
V
1
µA
开启时间
t
ON
2.0
8
ms
科幻gure
6
科幻gure
6
打开-O FF时间
t
关闭
0.3
ms
*所有典型值是在T
A
= 25 ° C，I
F（上）
= 10 mA时， V
F（ OFF）
= 0.6V时，除非另有规定。
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06年5月19日F版
PG 。 3 9
MII [ Micropac Industries ]
