28.0-31.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2005年8月 - 修订版04 - 8 - 05
30MPA0562
应用笔记[1]偏置
-
建议通过Vd3的在Vd的（1,2,3） = 5.0V与为Id1 = 100mA时的Id2 = 150毫安单独地偏置每个放大器级Vd1的，
对于平行级的偏置（推荐用于一般应用） - 等同于个人级的偏置，但所有的漏或栅焊盘DC旁路
电容器（〜 100-200 pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）也建议所有的DC或组合（如门或
直流偏置垫水渠连接在一起） 。
对于个人级的偏置（推荐饱和的应用程序） - 每个DC垫（ Vd1,2,3和Vg1,2,3 ）需要有DC旁路电容
（〜 100-200 pF）时尽可能接近所述设备成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
MTTF表（ TBD）
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
度摄氏
度摄氏
od
C / W
C / W
C / W
背板
温度
通道
温度
RTH
平均无故障时间
uc
E+
E+
E+
FITS
E+
E+
E+
偏置条件：
VD1 = Vd2的= Vd3的= 5.0V ，ID1 = 100mA时的Id2 = 150毫安， ID3 = 400毫安
Pr
e-
pr
度摄氏
TIO
应用笔记[2]偏置安排
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电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第4 5
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
n
和ID3 = 400毫安。单独的偏置，建议如果放大器是在高水平的饱和度，其中栅极精馏将改变要使用的
有效的栅极控制电压。对于非关键应用是可能的平行所有阶段和调整公共栅极电压，共漏极
电流Id （总） = 430毫安。此外，还建议使用有源偏置，以保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这
给出了最可重复的结果。取决于可用的电源电压和功耗的限制，偏置电路可以是一个
单个晶体管或低功率运算放大器，具有串联地用于感测电流的漏极供给的低值电阻。的栅极
所述的pHEMT被控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.7V 。通常情况下，
栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压
可施加正的漏极供应之前。
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