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38TX0768-QB-0L00 参数 Datasheet PDF下载

38TX0768-QB-0L00图片预览
型号: 38TX0768-QB-0L00
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内容描述: 36.0-42.0 GHz的砷化镓发射QFN封装,为7x7毫米 [36.0-42.0 GHz GaAs Transmitter QFN, 7x7 mm]
分类和应用: 射频和微波射频上变频器射频下变频器微波上变频器微波下变频器
文件页数/大小: 8 页 / 293 K
品牌: MIMIX [ MIMIX BROADBAND ]
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36.0-42.0 GHz的砷化镓变送器
QFN , 7×7毫米
2006年10月 - 修订版05- OCT- 06
38TX0768-QB
应用笔记[1]偏置
- 应用笔记[1]偏 - 该设备是由偏压VD = 4.0V带有ID = 240毫安操作。此外,混频器和倍频器
偏置也需要与VG2 = -0.5V 。调整VG2高于或低于此值可以转换增益,图像抑制和不利地影响
截点性能。在VC偏置引脚控制的集成衰减器,其中VC = -1.3 V提供的最低衰减和
VC = 0.0 V提供了最大衰减(约25 dB为单位) 。
它建议使用有源偏置,以保持电流恒定的射频功率和温度而变化;这给出了最
再现的结果。取决于可用的电源电压和功耗的限制,偏置电路可以是单个
晶体管或低功率运算放大器,用串联的用于感测电流的漏极供给的低值电阻。的栅极
所述的pHEMT被控制,以保持正确的漏极电流,因此漏极电压。需要做到这一点的典型栅极电压VG1 = -0.4V 。
典型地,栅极保护用硅二极管,以限制所施加的电压。此外,请确保测序所施加的电压,以确保
负栅偏压可施加正的漏极供应之前。
MTTF
平均无故障时间是从单个装置的加速寿命的时间数据来计算,并假设的等温背板。
38TX0768 -QB ,平均无故障时间(年)与背板温度( ℃)
1.0E+05
1.0E+04
平均无故障时间(年)
1.0E+03
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
55
65
75
温度(℃)
85
95
偏置条件:
VD = 4.0V ,ID = 240毫安
典型用途
RF OUT
37.0-39.5 GHz的
XP1005
38TX0768-QB
耦合器
在IF
2 GHz的
混频器
X
卜FF器
X2
LO(+2.0dBm)
17.5-18.75 GHz的( USB操作)
19.5-20.75 GHz的( LSB操作)
MIMIX宽带MMIC基35.0-45.0 GHz的发射器框图
(改变LO和IF频率根据需要可以设计来操作高达42千兆赫)
MIMIX宽带的36.0-42.0 GHz的38TX0768 -QB的GaAs发射器可以在饱和的无线电应用和线性调制使用
计划高达128 QAM。发射机可以在上部和下部边带的应用从36.0-42.0 GHz的使用。
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
第6页共8
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
©2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。