低噪声砷化镓场效应管
2006年7月 - 修订版31月-06
特点
高增益
超低噪音
赝HEMT
70军用密封包装
CFA0103
应用
卫星接收机
点至点收音机接收器
商业通信
国防电子
概述
在CFA0103 -L系列是低噪声，高增益的FET用于卫星和点至点无线电接收机
应用程序。该系列器件组装在一个行业标准70万气密封装。这家高
可靠性器件非常适合于运行关键应用的可靠性和性能是必需的。
典型的噪声参数
（VDS = 3V ， IDS = 15 mA）的
频率
（千兆赫）
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
18.0
NF
选择
0.39
0.47
0.57
0.69
0.84
1.00
1.18
1.38
1.60
G
A
伽玛选项氡/ 50
（ dB）的马格昂
0.42
23.6 0.87
36
0.34
18.3 0.77
71
0.27
15.2 0.69 100
0.22
13.0 0.63 124
0.18
11.5 0.58 147
0.16
10.6 0.53 171
0.15
10.1 0.49 -163
0.16
9.9
0.46 -132
0.18
9.8
0.42
-94
绝对最大额定值
漏源极电压（VDS ）
栅极 - 源极电压（ VGS）
漏电流（ IDS ）
连续耗散（PT ）
射频功率在（PIN）
通道温度（ TCH）
存储温度（ TSTG ）
8V
-5 V
IDSS
800毫瓦
+17 dBm的
175 ºC
-65 ° C至+175 ℃，
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
BIAS
参数
NFopt
Ga
IS211
2
P1dB
gm
IDSS
Vp
BVgd
RTH
VDS （ V）
3.0
3.0
3.0
6.0
VDS = 3.0V
VDS = 3.0V
VDS = 3.0V
IGD = 100微安
IDS （毫安）
15.0
15.0
15.0
40.0
VGS = V
VGS = 0V
IDS = 1毫安
频率
（千兆赫）
12.0
12.0
2.0
10.0
18.0
12.0
单位
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
mS
mA
伏
伏
摄氏度/ W
GRADE
L1
L2
L3
L1
L2
L3
民
-
-
-
10.0
10.0
8.0
典型值
0.7
0.9
0.9
11.0
11.0
9.0
13.0
9.6
7.2
19.0
90.0
60.0
-1.3
-8.0
250
最大
0.8
1.0
1.2
-
-
-
30.0
-0.5
-5.5
120.0
-2.5
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第1页2
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