800-900兆赫
+30 dBm的功率GaAs FET
2006年8月 - 修订版03 - 8 - 06
CFK2062-P1
特点
高增益
+30 dBm的输出功率
专有功率FET工艺
>40 ％，线性功率附加效率
表面贴装的SO - 8封装功率
应用
ISM频段的基站和终端
蜂窝基站和终端
无线本地环路
8
7
6
5
ð GND
GND ð
包图
摹GND
GND摹
1
2
3
4
BACK PLANE
是源
描述
该CFK2062 - P1是一个高增益的FET用于DRI-
版本放大器应用在大功率系统中，并输出
现阶段使用中等功率应用的功率高达
+30 dBm的。该设备是很容易匹配，并提供优良
线性度为1瓦。在Celeritek专有的制造
功率场效应晶体管过程中，本装置组装在一个行业
标准的表面贴装的SO- 8封装的功率为兼容
与大批量，自动化电路板组装技术。
特定网络阳离子
（ TA = 25°C ）
以下规格
保证在室温下在Celeritek测试夹具，在850兆赫。
参数
条件
民
典型值
最大
单位
SO- 8封装功率物理尺寸
VD = 8V ，ID = 400毫安（静态）
P- 1分贝
SSG
3阶
制品
(1)
效率
@ P1dB为
VD = 5V ，ID = 600毫安（静态）
P- 1分贝
SSG
参数
条件
29.0 30.0
18.0 20.0
—
—
—
—
民
—
—
—
—
—
—
最大
DBM
dB
dBc的
%
DBM
dB
单位
30
40
29.5
19.0
典型值
gm
IDSS
Vp
BVgd
JL
(2)
VDS = 2.0V ， VGS = 0V
VDS = 2.0V ， VGS = 0V
VDS = 3.0V ， IDS = 25毫安
IGD = 2.5毫安
@ 150℃ TCH
—
—
—
15
—
650
1.4
-1.8
17
12
—
—
—
—
mS
A
伏
伏
° C / W
绝对最大额定值
参数
符号
等级
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续耗散
通道温度
储存温度
VDS
VGS
IDS
PT
总胆固醇
TSTG
10V (3)
-5V
IDSS
6W
175°C
-65 ° C到+ 175℃
注意事项：
1.心两色调和1 MHz的间距= 25 dBm的。
2.请参阅第4页上的散热考虑的信息。
整个装置（VD + VG） 3.最大电位差不了
超过12V 。
第1页4
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
©2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
MIMIX [ MIMIX BROADBAND ]
