0.8-1.0 GHz的
+34 dBm的功率GaAs FET
2007年11月 - 修订版15 -NOV- 07
CFK2162-P1
散热条件
所示的数据是在一个31密耳厚的FR-4板用1盎司铜的两侧。电路板装到基座
板3的螺钉作为shown.The螺钉使顶侧铜温度为相同的值作为所述底板上。该
所指示的基准导线的耐热性，
，为10℃ / W 。到基准螺杆的热阻为12 C / W 。
1.用1或2盎司铜如果可能的话。
2.焊接到相应的电气连接的所有八根导线的CFK2162 -P1包。
3.焊料上CFK2162 -P1包到接地平面的背面的铜垫。
4.使用LAR GE接地焊盘面积与许多镀通孔，如图所示。
5.如果可能的话，使用至少一个螺杆不大于0.2英寸的CFK2162 -P1的封装内提供低导热
电阻路径封装的底板上。
订购信息
该CFK2162 -P1功率级可在SO- 8表面贴装封装。器件采用磁带和卷轴可用。订购
零件编号列出。
如需订购部件号
CFK2162-P1
CFK2162-P1-000T
功能
800 - 900 MHz的功率级
800 - 900 MHz的功率级
包
SO- 8表面贴装功率封装
SO- 8表面贴装功率封装在磁带和卷轴
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第4 5
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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