0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2007年10月 - 修订版10月25日 - 07
CFS0103-SB
特点
AIGaAs /砷化铟镓/ AIGaAs赝
高电子迁移率晶体管（ pHEMT制）
高动态范围
低电流和电压
偏置点3V和40mA
0.4分贝噪声系数在2GHz
16 dBm的P1dB为2 GHz的
26 dBm的OIP3在2 GHz
300米闸门宽度
优良的均匀性
低成本，表面贴装封装（ SOT- 343 ）
符合RoHS建设
低热阻： 170℃ / W
应用
低噪声放大器和振荡器工作
在射频和微波频率范围
蜂窝/ PCS / GSM / W -CDMA
手机，基站接收机和
塔顶放大器
WIMAX， WLAN ， LEO ， GEO ， WLL / RLL ， GPS和
MMDS应用
通用离散的pHEMT对于其他超
低噪声和中等功率应用
功能框图（ SOT
-343)
来源
门
漏
来源
描述
MIMIX的pHEMT技术进行测试和验证
在军事，空间和商业应用。 MIMIX的
成熟的主力，在CF001-03 ，现在可用
包装形式为CFS0103 -SB 。
该CFS0103 -SB是一种高动态范围，低
噪音， pHEMT制封装在一个4引脚SOT- 343表面贴装
塑料封装。它被用于许多应用的操作
在0.1千兆赫至10千兆赫的频率范围。
MIMIX的高性能封装pHEMTs是
非常适合在所有的应用中的低噪声系数，高利用
增益，中等功率和良好的拦截是必需的。该
CFS0103 -SB是用于第一或第二的最佳解决方案
由于基站LNA阶段的完美结合
的低噪声系数和线性度。它也非常适合作为
在极顶放大器和其他中等功率驱动级
发送的功能，特别是作为低热阻
可扩展的功耗时，电压和电流
调整可以提高输出功率和线性度。
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