2.0-20.0 GHz的砷化镓MMIC
1W功率放大器
2006年10月 - 修订版10月13日 - 06
CMM0016
特点
小尺寸： 2.32x1.30x0.076mm
集成的片上DC阻断
单偏置操作
直接级联 - 完全匹配
无条件稳定
P1dB为： 29 dBm时，典型值。 @ 18 GHz的
线性增益9.5分贝，典型值。 @ 18 GHz的
PHEMT技术
氮化硅钝化
芯片图
单位：mm
产品规格（ TA = 25℃ ， VDD = 12V ）
1
参数
单位
民
典型值
最大
频带
线性增益
增益平坦度
输出功率： 2-18千兆赫（ @ 1 dB增益压缩）
输出功率： 2-20千兆赫（ @ 1 dB增益压缩）
P1dB的变化（在工作频率）
饱和输出功率： 2-18 GHz的
饱和输出功率： 2-20 GHz的
输入回波损耗
输出回波损耗
当前
热阻
GHz的
dB
-DB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
mA
° C / W
2.0
8.5
28.5
26.5
20.0
12.5
1.5
5.0
29.5
27.5
-10.0
-10.0
730
15.7
650
690
稳定2
无条件稳定
注：1。测试在Celeritek外接式评估板（详见第4页上的标准装配条件） 。
2.稳定性系数测量晶圆上。
绝对最大额定值
1
参数
等级
芯片粘接和粘接过程
模具附件：
共晶芯片粘接建议。对于eutec-
TIC芯片附着：瓶胚：金锡（ 80 ％金， 20 ％ Sn）的;舞台
温度： 290℃ ±5 ℃;搬运工具：镊子;时间： 1
分钟以下。
引线键合：
线材规格： 0.7〜 1.0密耳直径（前
强调） ;热压粘合，优选在
热压粘接。对于热压粘接：
舞台温度： 250 ℃;焊头温度： 150 ℃;
焊头压力： 18〜 40克取决于大小
线。
漏极电压
9.0V （最小） / 13.0V （最大值）
漏电流
750毫安
连续功率耗散
9.5 W
输入功率
20 dBm的
储存温度
-50 ° C至+ 150°C
通道温度
175°C
工作温度背面
-40 ° C至（见注2 ）
注意事项： 1.操作超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.计算最高工作温度：
Tmax为175至（ PDIS [W ]× 15.7 ） [° C] 。
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第1页5
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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