2.0-6.0 GHz的砷化镓MMIC
低噪声放大器
2006年8月 - 修订版02 - 8 - 06
CMM1200
芯片图
2.0至6.0千兆赫
砷化镓MMIC
低噪声放大器器
高级产品信息
2005年5月V1.5
（ 1 5 ）
特点
小尺寸： 1.60 X 1.55 X 0.076毫米
片上集成漏极偏置线圈
集成的片上DC阻断
单偏置操作
直接级联 - 完全匹配，新
反馈&分布式放大器的设计
P1dB为： 15.5 dBm的@ 6 GHz的典型。
高线性增益：17.5 dB典型值。
噪声系数：3.3 dB典型值。 @ 6 GHz的
PHEMT技术
氮化硅钝化
特定网络阳离子
（ TA = 25℃ ， VDD = 5V ）
1
参数
单位
民
典型值
最大
频带
线性增益
增益变化（在工作频率）
输出功率（ @ 1 dB增益压缩）
P1dB的变化（在工作频率）
饱和输出功率
三阶截点（ @ 6千兆赫）
二阶截取点（ @ 6千兆赫）
噪声系数（ @ 6千兆赫）
输入回波损耗2
输出回波损耗2
当前
热阻
稳定性
注：1。测试在Celeritek连接器连接评估板。
2.测晶片。
GHz的
dB
-DB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
mA
° C / W
2.0
16.0
14.0
19.0
6.0
17.5
2.0
15.5
1.0
23.0
25.5
41.0
3.3
85
无条件稳定
100
34.0
3.8
-9.5
-12.0
115
绝对最大额定值
1
参数
等级
芯片粘接和粘接过程
模具附件：
共晶芯片粘接建议。对于eutec-
TIC芯片附着：瓶胚：金锡（ 80 ％金， 20 ％ Sn）的;舞台
温度： 290℃ ±5 ℃;搬运工具：镊子;时间： 1
分钟以下。
引线键合：
线材规格： 0.7〜 1.0密耳直径（前
强调） ;热压粘合，优选在热敏
mosonic结合。对于热压粘合：第一阶段
温度： 250 ℃;焊头温度： 150 ℃;合
提示压力：取决于电线的大小18 〜40克。
漏极电压
4.5V （最小） / 8.0V （最大）
漏电流
150毫安
连续功率耗散
1.2 W
输入功率
10 dBm的
储存温度
-50 ° C至+ 150°C
通道温度
175°C
2
工作温度背面
-40 ° C最小。
注意事项： 1.操作超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.计算最高工作温度：
Tmax为175至（ PDIS [W ]× 34 ） [° C] 。
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第1页5
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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