30.0 kHz至30.0 GHz的砷化镓MMIC
分布式放大器
2010年5月 - 修订版19月10
CMM3030-BD
芯片设备布局
特点
超宽带驱动放大器
低增益波动
正增益斜率
11.0分贝小信号增益
22.0 dBm的P1dB压缩点
31.0 dBm的三阶截取
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
概述
MIMIX宽带的分布式30.0 kHz至30.0 GHz的
砷化镓MMIC分布式放大器的小信号
11.0 dB的增益有22.0 dBm的P1dB的输出
压缩点。这MMIC采用MIMIX
宽带公司的GaAs PHEMT器件模型技术，
和基于电子束光刻来
确保高重复性和均匀性。该芯片具有
表面钝化保护，并提供一个坚固的
与通孔背面和黄金金属化的一部分
让无论是导电环氧树脂或共晶焊料死亡
重视过程。该装置很适合于测试
仪器仪表，军工，航天，微波
点至点收音机， SATCOM和VSAT应用。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ ID1）
栅极电压（ VG）
输入功率（Pin ）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
1
12.0 VDC
375毫安
-5V
23.0 dBm的
-65〜 + 165 ºC
-55至+85°C
+175 ºC
（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ F）
输入回波损耗（ S11 ）
3
输出回波损耗（ S22 ）
3
小信号增益（ S21 ）
3
增益平坦度（ S21 ）
反向隔离（ S12 ）
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
2
输出三阶互调（ OIP3 ）
2
饱和输出功率（ PSAT ）
2
漏极偏置电压（VD ）
栅极偏置电压（ VG）
电源电流（ ID）（ VD = 8.0V ， V G = -0.5V典型）
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
VDC
VDC
mA
分钟。
0.00003
9.0
9.0
8.0
-
-
-
-
-
-
-1.5
-
典型值。
-
14.0
14.0
11.0
+/-0.5
35.0
+22.0
+31.0
+24.0
+8.0
-0.5
275
马克斯。
30.0
-
-
-
-
-
-
-
-
+9.0
0.0
350
100 ％的晶片直流测试和100％的RF晶片资格。晶圆资格包括来自每个象限测试样品
有80 ％的合格率要求。
（ 2 ）可选的高功率偏置VD = 9.0V通常会产生2-3分贝增加的P1dB ， PSAT和OIP3 。
（3）除非另有说明，最小/最大。在2.0-30.0 GHz和偏见，在VD = 8.0V 。
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第1页8
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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