35.0-45.0 GHz的砷化镓MMIC
缓冲放大器
2007年3月 - 修订版06 -MAR -07
B1005-BD
芯片设备布局
特点
高动态范围
出色的LO驱动器/缓冲放大器
低噪声和功率偏置配置
23.0分贝小信号增益
2.7分贝噪声系数的低噪声偏置
+16 dBm的P1dB压缩在电源偏置
100 ％的晶片RF ， DC和噪声系数测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
概述
MIMIX宽带的三级35.0-45.0 GHz的砷化镓
MMIC缓冲放大器具有23.0的小信号增益
分贝的2.7分贝整个频带的噪声系数。这
MMIC采用MIMIX宽带的0.15微米的GaAs PHEMT
设备模型的技术，和基于电子
束光刻技术以确保高重复性和
均匀性。该芯片具有表面钝化保护
并提供了坚固的部分与通孔背面
和镀金，让无论是导电
环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。这
装置非常适用于毫米波
点至点收音机， SATCOM和VSAT应用。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（Pin ）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
180毫安
+0.3 VDC
+5 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
5
MTTF表
5
（ 5 ）通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ F）
输入回波损耗（ S11 ）
3
输出回波损耗（ S22 ）
3
小信号增益（ S21 ）
3
增益平坦度（ S21 ）
反向隔离（ S12 ）
3
噪声系数（ NF）
4
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
1,2,3
输出三阶截点（ OIP3 ）
1,2,3
饱和输出功率（ PSAT ）
1,2,3
漏极偏置电压（ Vd1,2,3 ）
栅极偏置电压（ Vg1,2,3 ）
电源电流（ ID）（ VD = 3.5V ， V G = -0.4V典型）
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
VDC
VDC
mA
分钟。
35.0
4.0
9.0
20.0
-
35.0
-
-
-
+16.0
-1.2
-
典型值。
-
8.0
17.0
23.0
+/-1.0
45.0
2.7
+16.0
+26.0
+18.0
+3.5
-0.4
50
马克斯。
45.0
-
-
27.0
-
-
3.5
-
-
-
+4.5
+0.1
154
（ 1 ）选购低噪声偏置Vd1,2,3 = 3.5V ，ID = 50毫安通常会产生3-4DB减少的P1dB和OIP3 。
（ 2 ）使用恒定电流测量。
（ 3 ）除非另有说明，最小值/最大值在35.0-45.0 GHz和偏见，在VD = 4.5V ，ID1 = 28毫安，ID2 = 42毫安， ID3 = 84毫安。
（ 4 ）除非另有说明，最小值/最大值在35.0-45.0 GHz和偏见，在VD = 3.5V ，ID1 = 9毫安，ID2 = 16毫安， ID3 = 25毫安。
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第12页1
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