32.0-42.0 GHz的砷化镓MMIC
图像抑制混频器
2008年2月 - 修订版06 -FEB -08
M1003-BD
芯片设备布局
特点
次谐波镜像抑制混频器
砷化镓HBT技术
9.0分贝变频损耗
18.0分贝镜像抑制
100 ％的晶片RF测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
XM1003-BD
概述
MIMIX宽带的32.0-42.0 GHz的砷化镓MMIC
次谐波镜像抑制混频器可被用作一个向上
或降压转换器。该设备具有一个转换损耗
9.0分贝与整个乐队18.0分贝镜像抑制。我和
提供Q混频器的输出和一个外部90度
杂交需要选择所需的边带。这
MMIC采用MIMIX宽带的2微米的GaAs HBT装置
模型的技术，并且是基于电子束
光刻技术，以保证高可重复性和均匀性。
该芯片具有表面钝化保护和提供
通孔和黄金崎岖的部分与背面
金属化，以允许任一导电环氧树脂或
共晶焊料芯片粘接工艺。此设备是井
适用于毫米波点至点收音机， LMDS ，
SATCOM和VSAT应用。
参数
频率范围（ RF ）上边带
频率范围（ RF ）下边带
频率范围（ LO ）
频率范围（ IF ）
RF回波损耗（ S11 ）
IF1 / IF2回波损耗（ S22 ）
LO回波损耗（ S33 ）
转换损耗（ S21 ）
LO输入驱动器（P
LO
)
镜像抑制
隔离LO / RF
隔离LO / IF
隔离射频/中频
输入三阶截取（ IIP3 ）
绝对最大额定值
输入功率（ RF引脚）
输入功率（ IF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
+20 dBm的
+20 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到+125
O
C
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
单位
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
dBc的
dBc的
dB
dB
DBM
分钟。
34.0
32.0
15.0
DC
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-
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典型值。
-
-
-
-
10.0
待定
待定
9.0
+12.0
18.0
-40.0
待定
待定
+14.0
马克斯。
42.0
42.0
23.0
4.0
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