34.0-46.0 GHz的砷化镓MMIC
图像抑制混频器
2007年7月 - 修订版25月-07
M1002-BD
芯片设备布局
特点
基本的镜像抑制混频器
7.0分贝变频损耗
20.0分贝镜像抑制
+24 dBm的输入三阶截
100 ％的晶片RF测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
概述
MIMIX宽带的34.0-46.0 GHz的砷化镓MMIC
基本镜像抑制混频器可被用作一个向上或
下变换器。该设备具有一个转换损耗的7.0
分贝与整个乐队一20.0分贝镜像抑制。我和
提供Q混频器的输出和一个外部90度
杂交需要选择所需的边带。这
MMIC采用MIMIX宽带的0.15微米的GaAs PHEMT
设备模型的技术，和基于电子
束光刻技术以确保高重复性和
均匀性。该芯片具有表面钝化保护
和通孔提供了一个坚固的一部分，与背面和
镀金，让无论是导电环氧树脂或
共晶焊料芯片粘接工艺。此设备是井
适用于毫米波点至点收音机， LMDS ，
SATCOM和VSAT应用。
XM1002-BD
绝对最大额定值
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ RF引脚）
输入功率（ IF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
+0.3 VDC
20.0 dBm的
20.0 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到+125
O
C
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ RF ）上边带
频率范围（ RF ）下边带
频率范围（ LO ）
频率范围（ IF ）
RF回波损耗（ S11 ）
IF回波损耗（ S22 ）
LO回波损耗（ S33 ）
转换损耗（ S21 ）
LO输入驱动器（P
LO
)
镜像抑制
隔离LO / RF
隔离LO / IF
隔离射频/中频
输入三阶截取（ IIP3 ）
栅极偏置电压（ VG1 ）
单位
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
dBc的
dB
dB
dB
DBM
VDC
分钟。
34.0
34.0
30.0
DC
-
-
-
-
-
15.0
-
-
-
-
-2.0
典型值。
-
-
-
-
18.0
10.0
8.0
7.0
+12.0
20.0
11.0
30.0
30.0
+24.0
-0.5
马克斯。
46.0
46.0
50.0
4.0
-
-
-
8.0
-
-
-
-
-
-
+0.1
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