8.5-11.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2007年8月 - 修订版03 - 8 - 07
P1006-BD
特点
X波段10W功率放大器
21.0分贝大信号增益
40.0 dBm的饱和输出功率
30 ％的功率附加效率
片上栅极偏置电路
100 ％的晶片RF ， DC和输出功率测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
芯片设备布局
XP1006
MIMIX宽带
10004966
TNO版权所有2005
X=4940
Y=4290
概述
MIMIX宽带的三级8.5-11.0 GHz的砷化镓
MMIC功率放大器具有21.0的大信号增益
分贝用40.0 dBm的饱和输出功率，也
包括片上栅极偏置电路。这MMIC用途
MIMIX宽带的0.5米的GaAs PHEMT器件模型
技术，并且基于光门
光刻技术以确保高重复性和
均匀性。该芯片具有表面钝化保护
并提供了坚固的部分与通孔背面
和镀金，让无论是导电
环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。这
设备是非常适合用于雷达应用。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（Pin ）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
9.0伏
4.5 A
+0.0 VDC
待定
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
1
MTTF表
1
（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性
（脉冲模式F = 10kHz时，占空比= 10 ％ ，T
A
=25ºC)
参数
频率范围（ F）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
大信号增益（ S21 ）
增益平坦度（ S21 ）
反向隔离（ S12 ）
饱和输出功率（P
SAT
)
功率附加效率（ PAE ）
漏极偏置电压（ Vd1,2,3 ）
栅极偏置电压（ VGG ）
电源电流（ ID）（ VD = 8.0V ， VGG = -5.0V典型）
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
%
VDC
VDC
A
分钟。
8.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-6.0
-
典型值。
-
15.0
12.0
21.0
+/-0.5
60.0
+40.0
30
+8.0
-5.0
4.2
马克斯。
11.0
-
-
-
-
-
-
-
+9.0
-4.0
4.5
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3F ， 3-2工业东九路，科学工业园区•新竹，台湾， ROC
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