8.5-11.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2007年8月 - 修订版03 - 8 - 07
s
18 -
P1014-BD
芯片设备布局
XP1014
MIMIX宽带
I0005129
TNO ©2005
特点
XP1006驱动放大器
18.0分贝小信号增益
31.0 dBm的饱和输出功率
35 ％的功率附加效率
片上栅极偏置电路
100 ％的晶片RF ， DC和输出功率测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
概述
MIMIX宽带的二级8.5-11.0 GHz的砷化镓
MMIC功率放大器具有18.0的小信号增益
分贝与31dBm的饱和输出功率，也
包括片上栅极偏置电路。这MMIC用途
MIMIX宽带的0.5米的GaAs PHEMT器件
模型的技术，并且是基于电子束
光刻技术以确保高重复性和
均匀性。该芯片具有表面钝化保护
并提供了坚固的部分与通孔背面
和镀金，让无论是导电
环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。这
设备是非常适合用于雷达应用。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（Pin ）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
9.0伏
510毫安
+0.0 VDC
待定
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
1
MTTF表
1
（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ F）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
小信号增益（ S21 ）
增益平坦度（ S21 ）
反向隔离（ S12 ）
饱和输出功率（ PSAT ）
功率附加效率（ PAE ）
漏极偏置电压（ Vd1,2 ）
栅极偏置电压（ VG1和VG2 ）
电源电流（ ID）（ VD = 8.0V ， VG1 = -5.0V ）
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
%
VDC
VDC
mA
分钟。
8.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-6.0
-
典型值。
-
15.0
12.0
18.0
+/-1.0
-
+31.0
35
+8.0
-5.0
450
马克斯。
11.0
-
-
-
-
-
-
-
+9.0
-4.0
510
MIMIX亚洲公司（ MIMIX宽带， Inc.的子公司）
3F ， 3-2工业东九路，科学工业园区•新竹，台湾， ROC
电话：+ 886-3-567-9680 •传真：+ 886-3-567-9433 •mimixbroadband.com
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
©2007
MIMIX宽带公司
第1页5
MIMIX [ MIMIX BROADBAND ]
