17.65-33.65 GHz的砷化镓MMIC
接收器
2007年4月 - 修订版05 -APR- 07
R1002-BD
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，该装置是用两个阶段并行操作，并且可以
偏向于低噪声性能和高功率性能。低噪声偏置名义上是VD = 4.5V ，ID = 135毫安是
推荐偏置条件。更多的控制性能将通过单独的偏置d1和Vd2的获得
每一个在4.5V ， 65毫安。功率偏置可以是高达Vd的= 5.5V，编号= 270毫安与并联的各个阶段，或最受控
性能将通过单独的偏置d1和d2彼此的5.5V ， 135毫安获得。衰减器偏压， VG3 ，可以是
从0.0调整为-1.2V与0.0V提供最大衰减和-1.2V提供最小衰减。图片
抑制混频器偏置， VG4 ，应名义上是-0.8V ，以尽量减少对混频器性能LO级灵敏度。它也是
推荐使用有源偏置，以保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了
最可重复的结果。取决于可用的电源电压和功耗的限制，所述偏置
电路可以是一个单一的晶体管或低功率运算放大器，用串联的低阻值电阻与漏电
供应用于感测所述电流。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极电流，因而漏
电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.5V 。典型地，栅极保护用硅二极管，以限制
施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压可用之前
施加正的漏极电源。
应用笔记[2]偏置安排
-
对于并行阶段偏差 - 同为个人舞台偏差，但所有的漏或栅焊盘DC旁路电容
（〜 100-200 pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）也建议所有的DC或
直流偏置垫组合（如果门或排水渠连接在一起） 。
对于个人级的偏置 - 每个DC垫（ Vd1,2和Vg1,2,3,4 ）需要有DC旁路电容（ 〜 100〜200 pF）的作为
靠近器件成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
MTTF表
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
81度摄氏
101度摄氏
121度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
-
65.0
°
C / W
-
6.77E+11
4.09E+10
3.29E+09
1.48E-03
2.44E-02
3.04E-01
偏置条件：
VD = 3.0V ，ID = 135毫安
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
142度摄氏
162度摄氏
182度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
-
58.9
°
C / W
-
4.11E+08
5.36E+07
8.35E+06
2.43E+00
1.87E+01
1.20E+02
偏置条件：
VD = 5.5V ，ID = 270毫安
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第10 6
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