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XR1002-QB-EV1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: XR1002-QB-EV1
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内容描述: 18.0-30.0 GHz的砷化镓接收QFN封装,为7x7毫米 [18.0-30.0 GHz GaAs Receiver QFN, 7x7 mm]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 739 K
品牌: MIMIX [ MIMIX BROADBAND ]
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18.0-30.0 GHz的砷化镓接收器
QFN , 7×7毫米
2006年11月 - 修订版03 -NOV- 06
R1002-QB
特点
基本的高动态范围接收器
集成的增益控制
+4.0 dBm输入三阶截取( IIP3 )
14.0分贝转换增益
3.5分贝噪声系数
25.0分贝镜像抑制
MIMIX宽带的18.0-30.0 GHz的砷化镓MMIC接收器具有12.0 dB的增益
控制范围, 3.5 dB和25.0分贝镜像抑制跨噪声系数
乐队。该装置是一个三阶段的LNA后跟单个晶体管
"Tee"衰减器和图像抑制根本电阻HEMT混频器。
在高信号电平的无线AGC系统可以用来降低
接收器增益提高了IIP3提供以最低的失真
调制方案高达256 QAM ( ETSI -见技术注1 ) 。
该图像抑制混频器省去了后的一个带通滤波器
LNA以图像的频率去除热噪声。 I和Q混频器
被提供的输出和一个外部90度混合是需要
选择想要的边带。这MMIC采用MIMIX宽带的0.15微米
砷化镓PHEMT器件模型技术,并基于电子
束光刻,以确保高的可重复性和均匀性。该芯片
具有表面钝化保护,并提供一个坚固的部分与
通孔和镀金背面,让无论是导电
环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。这个装置是非常适合
毫米波点至点收音机, LMDS , SATCOM和VSAT
应用程序。
概述
绝对最大额定值
电源电压( VD)
电源电流(ID)
栅极偏置电压( VG)
输入功率( RF引脚)
存储温度( TSTG )
工作温度(Ta )
通道温度( TCH)
+6.0伏
300毫安
+0.3 VDC
0.0 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
3
MTTF表
3
( 1 )测量采用恒流, 10分贝衰减和
-20dBm的总输入功率。
(2)在最小衰减。
( 3 )通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性(环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围( RF )上边带
频率范围( LO )
频率范围( IF )
输入回波损耗RF ( S11 )
小信号转换增益RF / IF ( S21 )
衰减
LO输入驱动器(P
LO
)
镜像抑制
噪声系数( NF)
隔离LO / RF
输入三阶截取( IIP3 )
漏极偏置电压( Vd1,2 )
栅极偏置电压( Vg1,2 ) ( VG4 = -0.8V )
控制偏置电压( VG3 )
电源电流( ID)( VD = 4.5V , V G = -0.5V典型)
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
DBM
dBc的
dB
dB
DBM
VDC
VDC
VDC
mA
分钟。
18.0
14.0
DC
-
-
0.0
+12.0
15.0
-
-
-
-
-1.0
-1.5
-
典型值。
-
-
-
10.0
14.0
-
+15.0
25.0
3.5
40.0
+4.0
+4.5
-0.5
-1.2
135
马克斯。
30.0
34.0
4.0
-
-
12.0
+18.0
-
-
-
-
+5.5
0.0
0.0
270
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
分页: 10 1
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
©2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。