30.0-46.0 GHz的砷化镓MMIC
接收器
2007年8月 - 修订版16 - 8 - 07
特点
芯片设备布局
R1004-BD
次谐波接收器
集成的低噪声放大器， LO倍频/缓冲器，镜像抑制混频器
+4.0 dBm输入三阶截取（ IIP3 ）
+2.0 dBm的LO驱动电平
9.0分贝转换增益
3.5分贝噪声系数
18.0分贝镜像抑制
100 ％的晶片RF ， DC和噪声系数测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883方法2010
概述
MIMIX宽带的30.0-46.0 GHz的砷化镓MMIC接收器的噪声
图3.5 dB和跨频带18.0分贝镜像抑制。这
装置是一个三阶段的LNA后跟一个镜像抑制电阻
pHEMT制混频器和包括一个集成的LO倍频和LO缓冲器
放大器。该图像抑制混频器省去了一个带通
在LNA后进行过滤，以在所述图像的频率除去热噪声。
使用集成的LO倍频和LO缓冲放大器，使
提供的LO比对这些基本的混频器更容易
频率。提供I和Q混频器的输出和一个外部90
度混合需要选择所需的边带。这MMIC
采用MIMIX宽带的0.15微米的GaAs PHEMT器件模型
技术，并且是基于电子束光刻，以确保
高重复性和均匀性。该芯片具有表面钝化
保护和过孔和黄金提供了一个坚固的部分与背面
金属化，使无论是导电环氧树脂或共晶焊料死亡
重视过程。这个装置是非常适用于毫米波
点至点收音机， LMDS ， SATCOM和VSAT应用。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ Id1,2 ） ， （ ID3 ）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ RF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
110 ， 180毫安
+0.3 VDC
+5 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
3
MTTF表
3
（ 3 ）通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ RF ）上边带
频率范围（ RF ）下边带
频率范围（ LO ）
频率范围（ IF ）
输入回波损耗RF （ S11 ）
小信号转换增益RF / IF （ S21 ）
2
LO输入驱动器（P
LO
)
镜像抑制
2
噪声系数（ NF）
2
隔离LO / RF @ LOX1 / LOx2
输入三阶截取（ IIP3 ）
1,2
漏极偏置电压（ Vd1,2,3 ）
栅极偏置电压（ Vg1,2,3 ）
栅极偏置电压（ Vg4,5 ）混频器，倍频器
电源电流（ Id1,2 ） （ Vd1,2 = 4.0 ， V G = -0.3V典型）
电源电流（ ID3 ） （ Vd3的= 4.0V ， V G = -0.3V典型）
单位
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dBc的
dB
dB
DBM
VDC
VDC
VDC
mA
mA
分钟。
35.0
30.0
15.5
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
-1.2
-
-
典型值。
-
-
-
-
10.0
9.0
+2.0
18.0
3.5
+4.0
+4.0
-0.3
-0.5
50
145
40.0/40.0
马克斯。
46.0
46.0
25.0
4.0
-
-
-
-
-
-
-
+5.5
+0.1
+0.1
100
165
（ 1 ）采用恒定电流测量。
（ 2 ）使用的0.0和2.0 dBm的LO输入驱动电平测量。
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