4.5-10.5 GHz的砷化镓接收器
QFN封装，采用4x4mm
2008年1月 - 修订版28 -JAN- 08
R1011-QH
应用笔记[1]偏置 -
如图所示，引脚牌号表中，该装置是由施力VD1,2,3在4.0V与25 ，45，分别60毫安操作。
此外，所需的混频器偏置-2V的一个固定偏压。它建议使用有源偏置，以保持在顺序中的电流恒定，以
保持不同温度下的最佳性能。取决于可用的电源电压和功耗的限制，偏置电路
可以是单个晶体管或低功率运算放大器，具有串联地用于感测电流的漏极供给的低值电阻。
所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.3V 。
确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压可施加正的漏极供应之前。
应用笔记[2]电路板布局 -
如图所示，在电路板布局，建议提供100pF的去耦电容尽量靠近偏置引脚
可能的话，额外的10μF的去耦电容。
推荐电路板布局
100pF的0402 ，
10µF 0805
推荐给外部接地所有N / C引脚
推荐去耦电容：
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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