17.0-27.0 GHz的砷化镓MMIC
发射机
2005年5月 - 修订版13月-05
U1000
芯片设备布局
特点
基本变送器
低DC功耗
可选功率偏置配置
0.0分贝转换增益
12.0 dBm的三阶截取（ IIP3 ）
100 ％晶圆RF和DC测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
概述
MIMIX宽带的17.0-27.0 GHz的砷化镓MMIC
发射器具有0.0小信号转换增益
分贝为12.0 dBm的跨三阶截取
乐队。该装置是一个单一基本混合器
接着是单级放大器。这MMIC用途
MIMIX宽带的0.15
µm
砷化镓PHEMT器件
模型的技术，并且是基于电子束
光刻技术以确保高重复性和
均匀性。该芯片具有表面钝化保护
并提供了坚固的部分与通孔背面
和镀金，让无论是导电
环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。这
器件非常适用于毫米波点对
点收音机， LMDS ， SATCOM和VSAT应用。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ IF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
50毫安
+0.3 VDC
+10 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
3
MTTF表
3
（ 3 ）通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ RF ）上边带
频率范围（ RF ）下边带
频率范围（ LO ）
频率范围（ IF ）
输出回波损耗RF （ S22 ）
输入回波损耗LO （ S11 ）
小信号转换增益IF / RF （ S21 ）
LO输入驱动器（P
LO
)
隔离LO / RF
为1 dB压缩输入功率（ P1dB为）
1,2
输入三阶截取（ IIP3 ）
1,2
漏极偏置电压（VD ）
栅极偏置电压（ VG）
电源电流（ ID）（ VD = 3.0V ， V G = -0.5V典型）
单位
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
DBM
dB
DBM
DBM
VDC
VDC
mA
分钟。
17.0
17.0
15.0
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.0
-
典型值。
-
-
-
-
7.0
8.0
0.0
+12.0
10.0
+2.0
+12.0
+3.0
-0.5
23
马克斯。
27.0
27.0
29.0
2.0
-
-
-
-
-
-
-
+5.5
0.0
46
第1页5
（ 1 ）可选功率偏置VD = 5.5V ，ID = 45毫安通常会产生更好的P1dB 。
（ 2 ）使用恒定电流测量。
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