33.0-40.0 GHz的砷化镓MMIC
发射机
2005年5月 - 修订版13月-05
U1001
芯片设备布局
特点
次谐波发射
低DC功耗
可选功率偏置
8.0分贝转换增益
30分贝LO / RF隔离
100 ％晶圆RF和DC测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883方法2010
U1001
概述
MIMIX宽带的33.0-40.0 GHz的砷化镓MMIC变送器
8.0 dB的小信号转换增益与30.0分贝LO / RF
隔离。该装置具有一对分谐波混频器
构造为形成图像抑制混频器，需要一个
LO在15.5-21.5 GHz的。这之后是一个两阶段的LNA 。该
图像抑制混频器减少了对无用边带
功率放大器之前过滤。使用子的
谐波混频器，使提供的LO相比更容易
基本混合器在这些频率。 I和Q混频器输入
还提供与外部90度混合是需要
选择想要的边带。这MMIC采用MIMIX
宽带的0.15
µm
砷化镓PHEMT器件模型技术，
和基于电子束光刻，以确保高
重复性和均匀性。该芯片具有表面钝化
保护并提供坚固的部分与通孔背面
和镀金，让无论是导电环氧树脂或
共晶焊料芯片粘接工艺。这个装置是非常适合
毫米波点至点收音机， LMDS ，卫星通信和
VSAT应用。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ IF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
70毫安
+0.3 VDC
+10 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
4
MTTF表
4
（ 4 ）通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ RF ）上边带
频率范围（ RF ）下边带
频率范围（ LO ）
频率范围（ IF ）
输出回波损耗RF （ S22 ）
小信号转换增益IF / RF （ S21 ） （ USB / LSB ）
3
LO输入驱动器（P
LO
)
镜频抑制（ USB / LSB ）
3
隔离LO / RF @ LOX2
为1 dB压缩输入功率（ P1dB为）
1,2
漏极偏置电压（VD ）
栅极偏置电压（ VG）
电源电流（ ID）（ VD = 3.0V ， V G = -0.5V典型）
单位
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dBc的
dB
DBM
VDC
VDC
mA
分钟。
34.0
33.0
15.5
DC
-
3.0/3.0
-
8.0/5.0
-
-
-
-1.0
-
典型值。
-
-
-
-
12.0
8.0/8.0
+12.0
12.0/12.0
30.0
+3.0
+3.0
-0.5
30
马克斯。
40.0
40.0
21.5
3.0
-
-
-
-
-
-
+5.5
0.0
60
（ 1 ）可选功率偏置VD = 5.5V ，ID = 60毫安通常会产生更好的P1dB 。
（ 2 ）使用恒定电流测量。
（ 3 ）最小/最大限制在33.0-39.5 GHz的。
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他们有义务要符合美国的出口法律。
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