18.0-25.0 GHz的砷化镓MMIC
发射机
2007年8月 - 修订版20 - 8 - 07
U1002-BD
芯片设备布局
特点
次谐波发射
集成IR混频器， LO缓冲器&输出放大器
20.0 dBm的输出三阶截取点（ OIP3 ）
2.0 dBm的LO驱动电平
15.0分贝镜像抑制，10.0 dB转换增益
100 ％晶圆RF和DC测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883方法2010
MIMIX宽带的18.0-25.0 GHz的砷化镓MMIC变送器具有
20.0 dBm的输出三阶截取和15.0分贝图像
对面的带阻。该装置是一个镜像抑制
次谐波的反并联二极管混频器之后是平衡的两
级输出放大器，并包括一个集成的LO缓冲器
放大器。该图像抑制混频器减少了对不希望的
功率放大器前，边带滤波。使用一
次谐波混频器，使提供的LO相比更容易
基本混合器在这些频率。 I和Q混频器的输入是
提供与外部90度混合，需要选择
理想的边带。这MMIC采用MIMIX宽带的0.15微米的GaAs
PHEMT器件的模型技术，并且是基于电子
束光刻，以确保高的可重复性和均匀性。该
芯片具有表面钝化保护，并提供一个坚固的一部分
通过孔和镀金背面，让无论是
导电环氧树脂或共晶焊料芯片粘接工艺。该装置
非常适合毫米波点至点收音机， LMDS ，
SATCOM和VSAT应用。
概述
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ ID1，ID2 ）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ IF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+4.5伏
320 ， 165毫安
+0.3 VDC
0.0 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
3
MTTF表
3
（ 3 ）通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ RF ）上边带
频率范围（ RF ）下边带
频率范围（ LO ）
频率范围（ IF ）
输出回波损耗RF （ S22 ）
小信号转换增益IF / RF （ S21 ）
2
LO输入驱动器（P
LO
)
镜像抑制
2
隔离LO / RF @ LOX1 / LOx2
输出三阶截取点（ OIP3 ）
1,2
漏极偏置电压（ Vd1的）
漏极偏置电压（ Vd2的）
栅极偏置电压（ Vg1,2 ）
电源电流（ ID1） （ Vd1的= 3.5V ， V G = -0.3V典型）
电源电流（ ID2） （ Vd2的= 4.0V ， V G = -0.3V典型）
单位
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dBc的
dB
DBM
VDC
VDC
VDC
mA
mA
分钟。
18.0
18.0
7.5
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
-
-
典型值。
-
-
-
-
16.0
10.0
+2.0
15.0
10.0
+20.0
+3.5
+4.0
-0.3
230
116
马克斯。
25.0
21.0
11.5
3.0
-
-
-
-
-
-
+4.5
+4.5
+0.1
280
140
第1页8
（ 1 ）采用恒定电流测量。
（ 2 ）采用+2.0 dBm的LO输入驱动电平测量。
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