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XU1002-QD-EV1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: XU1002-QD-EV1
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内容描述: 17.0-25.0 GHz的砷化镓发射QFN封装, 7x7毫米 [17.0-25.0 GHz GaAs Transmitter QFN, 7x7mm]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 319 K
品牌: MIMIX [ MIMIX BROADBAND ]
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17.0-25.0 GHz的砷化镓变送器
QFN封装, 7x7毫米
2007年5月 - 修订版29月-07
U1002-QD
特点
次谐波发射
集成IR混频器, LO缓冲器&输出放大器
+13 dBm的P1dB为
2.0 dBm的LO驱动电平
20.0分贝镜像抑制,9.0 dB转换增益
7×7毫米, QFN
概述
MIMIX宽带的17.0-25.0 GHz的砷化镓MMIC变送器具有
13.0 dBm的输出P1dB为和整个20.0分贝镜像抑制
乐队。该装置是一个镜像抑制次谐波反平行
二极管混频器之后是平衡的两阶段输出放大器
并包括一个集成的LO缓冲放大器。镜像抑制
混频器减少了对前无用边带滤波
功率放大器。使用的次谐波混频器的使
提供的LO比对这些基本的混频器更容易
频率。提供I和Q混频器输入端和一个外部
90度混合,需要选择所需的边带。这
MMIC采用MIMIX宽带的0.15
µm
砷化镓PHEMT器件
模型的技术,并且是基于电子束
光刻技术,以保证高可重复性和均匀性。该
器件采用7x7毫米QFN表面贴装层压板
封装,符合RoHS标准。这个装置是非常适合
毫米波点至点收音机, LMDS , SATCOM和VSAT
应用程序。
绝对最大额定值
电源电压( VD)
电源电流( ID1,ID2 )
栅极偏置电压( VG)
输入功率( IF引脚)
存储温度( TSTG )
工作温度(Ta )
通道温度( TCH)
+ 5.0VDC
320 , 165毫安
+0.5伏
0.0 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
1
MTTF表
1
( 1 )信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性(环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围( RF )上边带
频率范围( RF )下边带
频率范围( LO )
频率范围( IF )
输出回波损耗RF ( S22 )
小信号转换增益IF / RF ( S21 )
LO输入驱动器(P
LO
)
镜像抑制
2×10泄漏@ RF
输出三阶截取点( OIP3 )
漏极偏置电压( Vd1的)
漏极偏置电压( Vd2的)
栅极偏置电压( Vg1,2 )
电源电流( ID1) ( Vd1的= 4.0V , V G = -0.1V典型)
电源电流( ID2) ( Vd2的= 4.0V , V G = -0.1V典型)
单位
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dBc的
DBM
DBM
VDC
VDC
VDC
mA
mA
分钟。
17.0
17.0
7.0
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
-
-
典型值。
-
-
-
-
14.0
9.0
+2.0
20.0
-10.0
+23.0
+4.0
+4.0
-0.1
230
116
马克斯。
25.0
21.0
14.0
3.0
-
-
-
-
-
-
+4.5
+4.5
+0.3
280
140
第1页7
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
©2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。